編者按：飛思卡爾成立獨立公司助推MRAM業務，MRAM器件在設計中把非易失性和RAM的最佳功能結合起來，實現新類型智能電子器件的“即時啟動”和功率損耗保護功能。 2008年6月9日，飛思卡爾半導體宣布，它與幾大風險投資公司合作，成立一家主營MRAM（磁阻隨機存取存儲器）業務的獨立公司。新公司名為EverSpin Technologies，將繼續交付并擴大它當前獨立的MRAM及相關磁阻產品組合。飛思卡爾將把MRAM技術、相關知識產權和產品轉讓給EverSpin Technologies，并持有新公司的股份。飛思卡爾將繼續開發基于EverSpin的MRAM技術的嵌入式產品。對EverSpin進行投資的風險投資公司包括：New Venture Partners、Sigma Partners、 Lux Capital、Draper Fisher Jurvetson和Epic Ventures。 飛思卡爾是MRAM技術的領先者，而且是市場上唯一的批量提供商。MRAM采用與傳統硅電路結合的磁性材料，在單一、無限耐久性器件中提供帶非易失性閃存的高速SRAM。MRAM器件在設計中把非易失性和RAM的最佳功能結合起來，實現新類型智能電子器件的“即時啟動”和功率損耗保護功能。 “MRAM是有別于半導體市場上，用于獨立內存和嵌入式產品的大多數應用的一種技術。”飛思卡爾半導體高級副總裁兼首席技術官Lisa Su表示，“成立新公司是為了助推MRAM在整個新應用套件的采用。” “現有的飛思卡爾MRAM產品在市場上發揮了重要推動作用，飛思卡爾意識到成立一家主營該業務的獨立公司有助于擴大業務機會。” New Venture Partners執行合伙人Steve Socolof表示，“飛思卡爾的MRAM產品具有的獨特性能和出色的可靠性，使EverSpin成為一個很好的投資機會。我們很高興與飛思卡爾合作，提供擴大EverSpin產品組合及技術路線圖需要的支持和資源。” “MRAM對商用和消費電子器件的開發及上市方式具有很大影響。” EverSpin Technologies首席運營官Saied Tehrani表示，“EverSpin團隊期待在飛思卡爾內部取得更大的技術成功和市場成功。” 根據協議，EverSpin Technologies將擁有位于亞利桑那州Chandler的MRAM生產廠房的所有權。EverSpin將繼續為飛思卡爾現有的獨立MRAM客戶供應產品。此外，它還將為飛思卡爾嵌入式產品提供MRAM技術。 2006年發布的飛思卡爾MR2A16A 4Mbit產品，是全球第一款高性能的MRAM產品，曾先后榮獲《設計新聞》（Design News）的“金捕鼠器”（Golden Mouse Trap ）年度產品獎；2007年研發100強獎；2006年《Electronic Products》年度產品獎；2007年 EE Times中國存儲器年度產品獎；LSI 2007年優勝獎以及ESEC（日本）和2007 In-Stat/Microprocessor Report的年度創新產品獎。 此外，飛思卡爾的MRAM器件還最終入圍EDN的2006年創新獎和EE Times的 2006 ACE獎評選。