相對于標準模塊30mm的高度，SEMiXTM4的高度才17mm，其長度為183mm，寬度為69mm，SEMiXTM4在如此小的體積內實現了最大直流電流900A，是目前功率器件市場上最緊湊的半橋模塊。 SEMiXTM4 IGBT模塊，是SEMiXTM3的“大哥”，能夠應于功率超過90kW的電機中。它有半橋和制動斬波兩種拓撲結構。作為“小弟”的SEMiXTM2 IGBT模塊，是最小的半橋模塊，其長寬高尺寸僅為117mm x 62mm x 17mm，最大直流電流可達470A。 SEMiXTM IGBT系列采用溝道技術，具有600V、1200V 和 1700V三種電壓等級，特別適合于開關頻率小于6 kHz的應用場合。采用軟穿通技術的1200V模塊，其開關頻率可以超過6 kHz。 對于不同的功率等級，SEMiXTM設計平臺提供三種模塊尺寸。下表列明了三種SEMiXTM 模塊尺寸對應的電流和電機功率范圍。更高功率等級的逆變器可以采用幾個半橋并聯的方式來實現。