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PCIM-ASIA見證中國IGBT十年之變

時間:2012-01-07

來源:網絡轉載

導語:功率半導體器件之一的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件

  功率半導體器件之一的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件,目前位居前十位的IGBT廠商均為外資企業,共同占據了40%的市場份額。因其技術的復雜性導致生產該器件的廠商均為國個企業。而近幾年來,中國本土企業也正以較快的速度在該方面取得突破性的成績。

圖為PCIM-ASIA主辦方UdoWeller先生與研討會主席英飛凌科技的LeoLorenz博士

  (圖為PCIM-ASIA主辦方UdoWeller先生與研討會主席英飛凌科技的LeoLorenz博士)

  PCIM-ASIA作為電力電子業界知名的展覽與會議活動,將于2012年6月19-21日在上海世博展覽館舉行。展覽與會議活動將匯集世界知名IGBT廠商于同一屋檐下,為業界帶來一場IGBT功率模塊廠商的聚會。

  變頻家電市場的爆發性增長推動IGBT的快速成長,變頻器節能也是IGBT產業成長的另一大助力。此外,新能源產業的興起,智能電網從規劃到大規模的實施,高速列車市場對IGBT巨大的需求潛力等等一系列方面,都將帶動中國本土IGBT產業的快速發展。

(圖為PCIM-ASIA現場大批采購商,市場需求可見一斑)

  (圖為PCIM-ASIA現場大批采購商,市場需求可見一斑)

  近年來,世界范圍內IGBT器件發展迅速,特別是中國發展速度最快,成為IGBT最大消費國。目前我國IGBT年需求量已超過75億元,而且每年以30%以上的速度增長。但國內目前只有少數企業從事中小功率IGBT封裝,而且尚未形成產業規模。

圖為中國南車IGBT產業基地奠基儀式

  (圖為中國南車IGBT產業基地奠基儀式)

 

  更值得一提的是中國南車所投資建立國內最大規模的IGBT產業基地,占地160畝,預計2013年正式投產。建成后,該基地將具備年產12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只大功率IGBT器件的能力,年產值超過20億元。而作為老競爭對手,年年參與PCIM的中國北車也在2011年12月在IGBT方面取得突破進展。中國北車永濟電機公司在西安發布了11種新一代功率半導體器件IGBT新產品,這也讓業界為之側目。據悉到2013年,北車永濟將形成完善的IGBT器件封裝設計、制造平臺,產能達到高壓大功率IGBT模塊30萬只,智能IGBT模塊400萬只,滿足國內市場對IGBT器件的需求。

圖為北車永濟工作人員展示其最新IGBT產品

  (圖為北車永濟工作人員展示其最新IGBT產品)

  中國目前只有少數小功率IGBT的封裝線,還不具備研發、制造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力,大部分都需要依賴進口。進年來中國自主研發的IGBT產品越來越突顯其重要位置。在2012年6月19-21日舉行的PCIM活動期間,知名IGBT廠商將匯聚一堂,屆時,三菱電機、富士電機、英飛凌、日立、賽米控、Vincotech等國際展商將展示其最新的IGBT產品,而國內本土的IGBT廠商也將盛大亮相,如中國南車、嘉興斯達半導體、江蘇宏微科技等。而在IGBG驅動方面的CT-Concept,青銅劍電力電子等企業也將展示其最新的產品。

圖為PCIM-ASIA 2011年掠影

  (圖為PCIM-ASIA2011年掠影)

  PCIM-ASIA已經來到中國10年,在這十年里PCIM見證了電力電子市場的不斷壯大和中國企業的成長。作為IGBT產業最專業的展會,集合產學研各界智慧探討行業發展,集聚優質展商為中國制造業提供更優解決方案,融匯全球資源更好的服務中國企業!

  下一個十年,讓我們在2012年的6月在上海世博館與您共同見證!

  文/徐敏、袁超

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