按照官方的說法，新型號的EUV光刻機系統 NXE:3600D將能達到93%的可用性，這將讓其進一步接近DUV光刻機(95%的可用性)。
數據顯示，NXE:3600D系統每小時可生產160個晶圓 (wph)，速度為30mJ/cm，這比 NXE:3400C高18%。二正在開發的 NXE:3800E系統最初將以30mJ/cm的速度提供大過195wph的產能，并在吞吐量升級后達到220wph。
據介紹，NXE:3600E 將在像差、重疊和吞吐量方面進行漸進式光學改進，而在0.33 NA的EUV光刻機領域，ASML路線圖包括到2025年左右推出吞吐量約為220wph的NXE:4000F。
對于0.55 NA的光刻機，需要更新的不但是其光刻機系統。同時還需要在光掩模、光刻膠疊層和圖案轉移工藝等方面齊頭并進，才能讓新設備應用成為可能。
根據ASML 在一季度財務會議上披露的數據，公司的目標是在2022年出貨55臺EUV系統，并到2025年實現(最多)90臺工具的計劃。ASML同時還承認， 90臺可能超過2025年的實際需求，不過他們將其描述為為滿足2030年1萬億美元半導體行業需求所做出的巨大努力。
按照之前的說法，ASML正在研發新款光刻機，價值高達4億美元(約合26億元人民幣)，雙層巴士大、重超200噸。原型機預計2023年上半年完工，2025年首次投入使用，2026年到2030年主力出貨。
這款機器應該指的就是High-NA EXE:5200(0.55NA)，Intel是全球第一個下單的公司。所謂High-NA也就是高數值孔徑，2nm之后的節點都得依賴它實現。
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