中國南車株洲所宣布，公司具完全自主知識產權的國內首條、亦是全球第二條8英寸IGBT專業芯片線在株洲全面建成投產，首期預計實現年產12萬片8英寸IGBT芯片，配套生產100萬只IGBT模塊，年產值近20億元。這意味著，我國成功打破國外公司在高端IGBT芯片技術上的壟斷，并實現了產業化突破。

IGBT是電力電子第三代器件，它可控制并提供大功率的電力設備電能變換，有效提升設備能源利用率、自動化和智能化水平。初步估算，若將IGBT等電力電子技術應用到全國20%的電機中，可使電能使用效率提高15%—30%，每年節電2000億千瓦時，相當于兩個三峽電站的年發電量。IGBT的研發、制造、應用成為衡量一個國家科技創新能力和高端制造業水平的重要標志。

中國工程院院士、中國南車株洲所總經理丁榮軍介紹，2012年，公司開始在株洲投資15億元來建設這條8英寸IGBT專業芯片生產線，為的是攻克1200伏以上中高壓IGBT技術及產業化難題，打破國外公司在高端IGBT芯片關鍵技術上的壟斷。IGBT芯片從6英寸發展到8英寸，不僅單位時間芯片產能翻倍，還有著“質”的飛躍：如它改變了原有芯片批量化生產模式，實現了單片生產，能確保產出芯片在質量與性能上更優越，材料成本則至少可降低20%。8英寸IGBT芯片擁有128個指甲蓋大小的“元胞”，每個元胞可承載電流由原來的50安培提高到了75安培，增大了50%的負載，芯片被封裝成模塊，應用于設備后，損耗更少，可帶來后續諸多良好的環保節能效應。

截至目前，中國南車先后累計投入超過30億元，在IGBT芯片設計、封裝測試、可靠性試驗、系統應用上攻克了30多項重大難題，掌握了IGBT芯片設計及封裝成套關鍵技術，建立了完整的IGBT規模化、專業化生產工藝體系，成功研制出從650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模塊，形成了IGBT的完整產業鏈。公司是國內唯一自主掌握集IGBT芯片、模塊、組件、應用全套技術的企業。