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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度變頻器ACS180系列

時間:2022-09-12

來源:ABB高壓電機有限公司

導語:變頻器是各行業中至關重要的節能設備,ABB傳動一直致力于用先進的產品和技術,創新的解決方案為客戶創造價值,提高生產效能水平,助力變頻器產業升級。

  變頻器是各行業中至關重要的節能設備,ABB傳動一直致力于用先進的產品和技術,創新的解決方案為客戶創造價值,提高生產效能水平,助力變頻器產業升級。

  ACS180緊湊型變頻器是ABB北京設計的最新一代變頻器產品,它體積小巧,使用方便,穩定可靠,應用廣泛,具有很高的性價比,是各種緊湊型設備的可靠之選。

  ACS180 400V電壓等級的R0至R2框架均使用了來自英飛凌的IGBT7技術。以ACS180-04x-17A0-4型號為例,得益于新技術的應用,其功率密度再上一個臺階。

  

ACS180-04x-17A0-4變頻器.png

  ACS180-04x-17A0-4變頻器主要參數

  變頻器尺寸: 202mm(高度)x120mm(寬度)x143mm(深度),大大低于友商同功率的同類產品。

  

ACS180-04x-17A0-4變頻器主要參數.png

  額定電流IN=17.0A(連續輸出時的額定電流);

  PId=7.5kW,ILD=16.2A(每10分鐘可承受1分鐘110%過載) ;

  Phd=5.5kW,IHD=12.6A(每10分鐘可承受1分鐘150%過載);

  Imax=22.7A (啟動時可輸出2秒鐘)。

  用做5.5kW重載應用時,工作的環境溫度為50℃以下無需降額, 90%額定電流可運行在60℃。且內部集成滿足IEC61800-3(可調速電力驅動系統.第3部分:電磁兼容性(EMC)要求和特定試驗法)的C3等級的EMC濾波器。

  ACS180是如何做到“小身材,大能量”的呢?這得益于不斷發展的IGBT技術。

  IGBT是變頻器實現電能轉換的核心元件,它仿佛一雙強有力的手,控制著電流的開通,和關斷。如果這雙手臂力氣大,消耗少,無疑將會大大減小變頻器的體積,增加變頻器的效率。

  此款ACS180采用的IGBT是FP25R12W1T7,這是一款1200V/25A的IGBT模塊,芯片采用的是英飛凌最新一代IGBT7技術。與目前市場上主流的IGBT4技術不同,IGBT7采用更加精細化的MPT微溝槽柵技術,溝道密度更高,芯片厚度更薄,元胞結構及間距也經過精心設計,并且優化了寄生電容參數,從而實現5kv/us下的最佳開關性能。

  

IGBT是變頻器實現電能轉換的核心元件.png

  在現代功率半導體器件中,提高開關速度、開關頻率和功率密度是大勢所趨。然而,由于不同具體應用對器件性能需求有差異。就電機驅動應用特性而言,由于電機和電纜的固有隔離,開關斜率(dv/dt)通常被限制在2-10kV/μs的范圍內,典型目標為5kV/μs。此外,用戶采用的典型開關頻率(fSW)也低于8kHz。這意味著,對電機驅動而言,降低靜態損耗成為了功率半導體的發展重點,快速開關和高開關頻率需求的重要性有所減弱,開關損耗變得次要了。針對上述需求,IGBT7進行了精心的優化。主要體現在:

  01   更低損耗

  因為更薄的芯片厚度和優化的載流子分布,IGBT大幅降低了器件的損耗,飽和壓降相比IGBT4降低了20%,例如FP25R12W2T7的Vce(sat)@25℃僅有1.6V,同時關斷損耗仍舊與IGBT4維持在同一個水平。如下圖所示,T7相比前代器件而言,其折衷曲線進一步逼近理想原點。

  

折衷曲線.png

  02  可調dv/dt

  不同于IGBT4等主流器件,IGBT7里的溝槽有多種形式:其中最常見的是作為有源柵極使用。其次,MPT結構還能夠實現發射極溝槽和偽柵極,兩者都是無效溝槽。這三種溝槽的數量決定了IGBT7的可控性,使得開通和關斷的dv/dt在很大范圍內都可以通過門極電阻進行調節,并且在變頻器典型dv/dt范圍內(2-10kV/μs),實現最低的損耗。

  

IGBT7里的溝槽有多種形式.png


  03  175°C最大工作結溫

  基于優化功率模塊設計,IGBT7將暫態的最高允許結溫(Tj)提高至175°C時,比IGBT4提高了25℃,能夠滿足實際應用的過載運行需求。過載工況定義如下:

  持續工作結溫 Tj ≤ 150 °C

  重復過載結溫 Tj ≤ 175 °C ,過載時間 t1 ≤ 60 s

  過載占空比 D=t1/T ≤ 20%

  

最高允許結溫.png


  由此我們可以看到,IGBT7能給變頻器帶來如下益處

  提升逆變器的輸出電流

  IGBT7極低的飽和導通電壓,意味著使用相同規格的IGBT4與IGBT7時,使用IGBT7的逆變器損耗更低,從而能輸出更大的電流;或者采用比IGBT4模塊規格更小的IGBT7模塊,使逆變器輸出相同的電流。

  如下圖所示,25A Easy2B的IGBT7可以比25A Easy2B的IGBT4提升35%的輸出電流,而25A Easy1B的IGBT7也可以比25A Easy2B的IGBT4提升16%的輸出電流。

  

逆變器的輸出電流.png


  提升逆變器的功率密度

  IGBT7的損耗低,結溫高(過載結溫最高175℃),因此可以大大的減少散熱器的尺寸。以典型條件的對比,25A Easy2B的IGBT7能夠比25A Easy2B的IGBT4減小40%的散熱器體積。

  

逆變器的功率密度.png


  從穿通型IGBT到場截止型IGBT,從平面柵到溝槽柵,又從溝槽柵到精細化溝槽柵,一代又一代不斷優化 IGBT助力變頻器實現更低功耗與更小體積,追求低碳高效的路上我們從不停歇,讓我們同生活,共未來。


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