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富士通半導(dǎo)體推出基于0.18 µm 技術(shù)的全新 SPI FRAM
企業(yè)信息
普通會(huì)員第20年
公司類型： 生產(chǎn)商
主運(yùn)營(yíng)：專用集成電路、微控制器、模擬產(chǎn)品、晶圓代工服務(wù)...
所在地區(qū)：上海市
注冊(cè)時(shí)間：2006-09-01
上海，2011年7月19日 — 富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技術(shù)的全新 SPI FRAM產(chǎn)品家族，包括MB85RS256A，MB85RS128A和MB85RS64A這3個(gè)型號(hào)，并從即日起開始為客戶提供樣片。
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory 鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器) 將SRAM 的快寫與閃存的非易失性的優(yōu)勢(shì)集中在一塊芯片上。全新的SPI FRAM家族MB85RSxxx包括3個(gè)型號(hào)：MB85RS256A，MB85RS128A和MB85RS64A，分別代表256Kbit，128Kbit和64Kbit三個(gè)密度級(jí)。3個(gè)芯片的工作電壓范圍在3.0 ～ 3.6V，讀寫周期為10billion次，數(shù)據(jù)保存在55°C的條件下可達(dá)10年。其工作頻率已經(jīng)大幅提高到最大25MHz。因?yàn)镕RAM產(chǎn)品在寫處理時(shí)無需電壓增壓器，很適合低功率應(yīng)用。該產(chǎn)品提供具有標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器引腳配置的8引腳封裝，完全兼容E2PROM芯片。
SPI FRAM產(chǎn)品陣容
| 產(chǎn)品型號(hào) | 存儲(chǔ)器容量 | 電源電壓 | 工作溫度 | 寫/擦次數(shù) | 數(shù)據(jù)保持 | 封裝 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MB85RS256A | 256K bit | 3.0—3.6v | -40—85 | 100億次 | 10年 | SOP-8 |
| MB85RS128A | 128K bit | 3.0—3.6v | -40—85 | 100億次 | 10年 | SOP-8 |
| MB85RS64A | 64K bit | 3.0—3.6v | -40—85 | 100億次 | 10年 | SOP-8 |
憑借公司內(nèi)部的開發(fā)和制造，富士通半導(dǎo)體可更加優(yōu)化設(shè)計(jì)和工廠間的密切合作。這為向市場(chǎng)穩(wěn)定地提供實(shí)質(zhì)性的高質(zhì)量產(chǎn)品打下了基礎(chǔ)。
除 SPI FRAM家族之外，富士通還提供帶I²C和并行口的FRAM獨(dú)立芯片。密度級(jí)從16Kbit到4Mbit不等。此外，富士通還計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)展FRAM組合以滿足市場(chǎng)需求。
FRAM獨(dú)立存儲(chǔ)芯片可廣泛用于計(jì)量、工廠自動(dòng)化應(yīng)用以及各產(chǎn)業(yè)部門等需要數(shù)據(jù)采集、高速寫入和耐久性的行業(yè)。對(duì)客戶來說，F(xiàn)RAM不但可取代所有使用電池支持的解決方案，還是一款非常環(huán)保的產(chǎn)品。
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