é¢å‘å·¥æ¥é›»è…¦èˆ‡åµŒå…¥å¼ç³»çµ±çš„節電長效內å˜çš„æ‡‰ç”¨
時間:2008-09-11 08:49:00來æºï¼šronggang
導語:?å·¥æ¥é›»è…¦èˆ‡åµŒå…¥å¼CPU需è¦ç·Šæ¹Šã€å¯é ã€ç¯€é›»çš„å…§å˜è§£æ±ºæ–¹æ¡ˆã€‚é¦–å…ˆï¼Œå®ƒå€‘ä½¿ç”¨çš„çµ„ä»¶å¿…é ˆè¶³ä»¥æ‡‰å°åš´é…·çš„å·¥æ¥æ¢ä»¶ï¼Œå°¤å…¶æ˜¯ç†±é‡è¦æ±‚。é¢å‘å·¥æ¥ç’°å¢ƒçš„專用產å“系列滿足特定工æ¥è¦æ±‚
  自動化和控制技術ã€è¨ˆé‡ã€æ©Ÿå™¨äººä»¥åŠå®‰å…¨é ˜åŸŸçš„å·¥æ¥æ‡‰ç”¨å°æ‰€ç”¨å…§å˜çµ„ä»¶åŠæ¨¡å¡Šçš„è¦æ±‚與標準PC或辦公應用有所ä¸åŒã€‚多數情æ³ä¸‹ï¼Œé€™äº›é ˜åŸŸçš„é‡é»žå¹¶ä¸æ˜¯åŸºäºŽæœ€æ–°å·¥è—技術的終極性能,而是最高的å¯é 性ã€ç·Šæ¹Šæ€§ã€è³ªé‡å’Œä½ŽåŠŸè€—ï¼ŒåŒæ™‚還有較長的產å“周期和相關的供貨ä¿è‰ã€‚
  到目å‰ç‚ºæ¢ï¼Œæ¨™æº–PC䏿‰€ç”¨çš„DRAMå…§å˜æ§‹ä»¶ä¸€ç›´ç¬¦åˆæ‘©çˆ¾å®šå¾‹ï¼šå˜å„²å®¹é‡å¤§ç´„æ¯24å€‹æœˆç¿»ä¸€ç•ªï¼Œè€Œæ¨¡å¡Šçš„å·¥ä½œé »çŽ‡è¶Šä¾†è¶Šå¿«ã€‚åœ¨è¿…é€Ÿè®Šé·çš„å¸‚å ´ä¸ï¼Œè¦æƒ³çµ„ä»¶æˆæœ¬å‘ˆæŒ‡æ•¸ç´šä¸‹é™ä»¥åŠæ€§èƒ½ï¼ˆå®¹é‡èˆ‡é€Ÿåº¦ï¼‰å‘ˆæŒ‡æ•¸ç´šä¸Šå‡ï¼Œå°±å¿…é ˆé€™æ¨£ã€‚ç”±äºŽPCå¹³å‡å£½å‘½ç´„ç‚ºå››å¹´ï¼Œå› æ¤é€™é‚„æ„å‘³è‘—æ§‹ä»¶é ˜åŸŸæŠ€è¡“çš„è·³èºæ€§ç™¼å±•ï¼Œå³æ›´æ–°æ›ä»£ã€‚å› æ¤ï¼Œé™¤äº†è™•ç†å™¨ä»¥å¤–ï¼Œå…§å˜æ›¾ç¶“是,并且ä»ç„¶æ˜¯PC行æ¥ç©©å›ºçš„æŠ€è¡“推動力é‡ã€‚
å·¥æ¥è¦æ±‚
  PC 技術å‘å·¥æ¥é ˜åŸŸçš„æŽ¨é€²ç”¢ç”Ÿäº†æ–°çš„è¦æ±‚。除了é¢å‘å„自應用的充足性能以åŠç¶“濟高效性以外,工æ¥ç”¨å…§å˜é‚„å¿…é ˆå…·æœ‰é•·é”10年的長期å¯ç”¨æ€§ï¼Œå¹¶ä¸”å¿…é ˆç¢ºä¿å¯é 的故障防è·é‹è¡Œï¼Œå³ä½¿åœ¨æœ€åš´é…·çš„æ¢ä»¶ä¸‹ä¹Ÿé ˆå¦‚æ¤ã€‚å¦ä¸€é …至關é‡è¦çš„æ¨™æº–是盡å¯èƒ½é™ä½ŽåŠŸè€—ã€‚
ç¯€é›»çš„å…§å˜æŠ€è¡“
  é‡é»žæ»¿è¶³å·¥æ¥æ‡‰ç”¨éœ€æ±‚的節能產å“包括那些待機電æµå’Œæœ‰åŠŸé›»æµè¼ƒä½Žçš„組件(DRAM組件和SO DIMM)與模塊(全緩沖DIMM和寄å˜DIMM),它們的è¨è¨ˆå·¥ä½œé›»å£“為1.5V,而常è¦DDR2 DIMM的工作電壓則為1.8V。如果æ£ç¢ºé¸æ“‡äº†æ‰€è¬‚的低功耗DIMM,就å¯èƒ½ç¯€ç´„75% 的能é‡ã€‚而這å°ç”¨æˆ¶æœ‰å…©é …有利影響。首先,用戶能é™ä½Žé›»åŠ›æˆæœ¬ï¼Œå…¶æ¬¡æ˜¯è¼ƒä½ŽåŠŸè€—ä½¿å¾—ç³»çµ±ä¸ç”¢ç”Ÿçš„熱é‡è¼ƒå°‘,確ä¿äº†æ›´å¯é çš„é‹è¡Œã€‚許多情æ³ä¸‹ï¼Œé€šéŽå®‰è£ç°¡å–®çš„冷å»è¨å‚™ä¹Ÿå¯é™ä½Žç³»çµ±æˆæœ¬ã€‚
é‡å°å·¥æ¥ç³»çµ±å„ªåŒ–
  使用較低功耗DRAM的工æ¥ç³»çµ±èƒ½ä½¿ç¸½é«”性能æé«˜ã€‚這是基于更高的å¯é 性ã€å˜å„²å¯†åº¦ä»¥åŠæ›´é•·çš„é›»æ± å£½å‘½ï¼ŒåŽè€…å°äºŽä¾¿æ”œè£ç½®æ¥µå…¶é‡è¦ã€‚
  已有é‡å°å·¥æ¥æº«åº¦èŒƒåœè€Œè¨è¨ˆçš„完整產å“線(模塊與組件)供工æ¥é ˜åŸŸä½¿ç”¨ã€‚測試表明,這些DRAMæä¾›ä¸€è‡´çš„高質é‡å’Œä½ŽåŠŸè€—ã€‚å®ƒå€‘å¯ç”¨äºŽ-40~+85â„ƒçš„å·¥æ¥æº«åº¦èŒƒåœï¼Œå¹¶ä¸”ç¬¦åˆ RoHS-5(å«é‰›ï¼‰ï¼Œæˆ–者完全符åˆRoHS。長期å¯ç”¨æ€§ï¼ˆä¿è‰è‡³å°‘到2011å¹´æ‰æœƒå ±å»¢ï¼‰è€ƒæ…®äº†å·¥æ¥å¸‚å ´é ˜åŸŸçš„ç‰¹æ®Šè¦æ±‚。這些DRAMå…§å˜æ¨™æº–在æœå‹™å™¨ã€ç¶²çµ¡æŠ€è¡“ã€æµ·é‡å˜å„²é ˜åŸŸä¹Ÿå¾ˆé‡è¦ï¼Œå°¤å…¶æ˜¯ä½Žèƒ½è€—è¦æ±‚與高å¯é 性。
  該產å“系列é¢å‘å¤šç¨®å·¥æ¥æ‡‰ç”¨ï¼ŒåŒ…括éžç·©æ²–DIMM(é…備或未é…å‚™ECC)ã€å¯„å˜DIMMã€å…¨ç·©æ²–DIMM(FB DIMM),å˜å„²å¯†åº¦ç‚º512Mb~8Gb。工æ¥ç”¨å…§å˜æ¨¡å¡Šå…·å‚™DDRã€DDR2(1.8V),并且還é…備新型DDR3接å£ï¼ˆ1.5Vï¼‰ï¼Œæ ¼å¼ç‚º1Uã€1/2U(VLP)和SO DIMM,å˜å–時間為PC133至PC3-10600。低功率DDR2-667 SO-DIMM(1.5V) 容é‡ç‚º1Gbå’Œ2Gb。å¦å¤–,DRAM標準組件種類為SDRã€DDRã€DDR2å’ŒDDR3ï¼Œåœ¨å·¥æ¥æº«åº¦èŒƒåœå…§é‹è¡Œï¼Œå˜å„²å¯†åº¦ç‚º128Mb~2Gb,å˜å–速度為SDR100至DDR3-1600。
  空間有é™çš„æ‡‰ç”¨ç¶“常需è¦é«˜æ€§èƒ½ï¼ŒåµŒå…¥å¼æ‡‰ç”¨å°¤å…¶å¦‚æ¤ã€‚緊湊內å˜è§£æ±ºæ–¹æ¡ˆéžå¸¸é©ç”¨äºŽé€™äº›ç”¨é€”。
çµè«–
  工æ¥é›»è…¦èˆ‡åµŒå…¥å¼CPU需è¦ç·Šæ¹Šã€å¯é ã€ç¯€é›»çš„å…§å˜è§£æ±ºæ–¹æ¡ˆã€‚é¦–å…ˆï¼Œå®ƒå€‘ä½¿ç”¨çš„çµ„ä»¶å¿…é ˆè¶³ä»¥æ‡‰å°åš´é…·çš„å·¥æ¥æ¢ä»¶ï¼Œå°¤å…¶æ˜¯ç†±é‡è¦æ±‚。é¢å‘å·¥æ¥ç’°å¢ƒçš„專用產å“系列滿足特定工æ¥è¦æ±‚,并且æä¾›é›»è·¯æ¿ç´šçš„增強型 EOLï¼ˆå ±å»¢ï¼‰æ”¯æŒèˆ‡å…¨é¢é©—è‰ã€‚
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