å˜å„²(chÇ”)器技術(shù)的未來(lái)
時(shÃ)間:2006-09-06 11:50:00來(lái)æºï¼šwangsl
å°Ž(dÇŽo)語(yÇ”):?便宜的DRAMä»å 優(yÅu)å‹¢(shì),但穩(wÄ›n)定的技術(shù)進(jìn)æ¥å·²ç¶“(jÄ«ng)é–‹(kÄi)拓了許多新的方å‘。
便宜的DRAMä»å 優(yÅu)å‹¢(shì),但穩(wÄ›n)定的技術(shù)進(jìn)æ¥å·²ç¶“(jÄ«ng)é–‹(kÄi)拓了許多新的方å‘。
å˜å„²(chÇ”)器技術(shù)æ˜¯ä¸€ç¨®ä¸æ–·é€²(jìn)æ¥çš„æŠ€è¡“(shù),æ¯ä¸€ç¨®æ–°æŠ€è¡“(shù)的出ç¾(xià n)都會(huì)使æŸç¨®ç¾(xià n)å˜çš„æŠ€è¡“(shù)走進(jìn)æ·å²ï¼Œé€™æ˜¯å› ?yà n)殚_(kÄi)發(fÄ)新技術(shù)çš„åˆè¡·å°±æ˜¯ç‚ºäº†æ¶ˆé™¤æˆ–減輕æŸç¨®ç‰¹å®šå˜å„²(chÇ”)器產(chÇŽn)å“çš„ä¸è¶³ä¹‹è™•。
舉例來(lái)說(shuÅ)ï¼Œé–ƒå˜æŠ€è¡“(shù)脫胎于EEPROM,它的第1個(gè)主è¦ç”¨é€”就是為了å–代用于PC機(jÄ«)BIOSçš„EEPROM芯片,以便方便地å°(duì)這種計(jì)算機(jÄ«)䏿œ€åŸºæœ¬çš„代碼進(jìn)行更新。
這樣,隨著å„種專門應(yÄ«ng)ç”¨ä¸æ–·æå‡ºæ–°çš„è¦æ±‚,新的å˜å„²(chÇ”)器技術(shù)也層出ä¸çª®ï¼Œå¾žPC機(jÄ«)直到數(shù)å—相機(jÄ«)。本文å³è‘—眼于å°(duì)ç¾(xià n)有的å˜å„²(chÇ”)器技術(shù)åŠå…¶æœªä¾†(lái)èµ°å‘進(jìn)行考察。
DRAM
åš´(yán)é‡ä¾è³´äºŽPCçš„DRAMå¸‚å ´(chÇŽng)總是處于劇烈的振蕩之ä¸ã€‚å°(duì)ç›®å‰è™•于衰退éŽ(guò)程ä¸çš„供應(yÄ«ng)商們來(lái)說(shuÅ),é™ä½Žæ¯æ¯”特DRAM生產(chÇŽn)æˆæœ¬å”¯ä¸€åŠƒç®—çš„æ–¹æ³•å°±æ˜¯ç¸®å°DRAMèŠ¯ç‰‡çš„å°ºå¯¸ã€‚æ‰€ä»¥ï¼Œåˆ¶é€ å•†å€‘å°±ä¸æ–·åœ°å°‹æ‰¾å¯ä»¥ç¸®å°DRAM芯片尺寸的方法。
éš¨è‘—å¸‚å ´(chÇŽng)的復(fù)蘇和邊際效益的增長(zhÇŽng),供應(yÄ«ng)商們會(huì)逿¼¸è½‰(zhuÇŽn)å‘使用300mm的大圓片。但ç¾(xià n)在,大多數(shù)DRAM生產(chÇŽn)商都承擔(dÄn)ä¸èµ·åœ¨300mm圓片上生產(chÇŽn)的費(fèi)用。
å°±åƒçŸ³æ²¹å…¬å¸éƒ½æƒ³å¤šè³£é«˜å“質(zhì)汽油以ç²å–高é¡åˆ©æ½¤(rùn)一樣,DRAM生產(chÇŽn)商也æ£åœ¨æŠŠç”¢(chÇŽn)å“線從SDRAMæ›æˆDDR SDRAM,希望賣個(gè)高價(jià )。在DDR之åŽåˆå‡ºä¾†(lái)一個(gè)DDR II,這是一種更先進(jìn)çš„DRAM技術(shù),已經(jÄ«ng)å—到英特爾的æ¡è¿Žã€‚å‡ºäºŽåŒæ¨£çš„åŽŸå› ï¼Œå˜å„²(chÇ”)器生產(chÇŽn)商們很快就會(huì)å‡ç´š(jÃ)到DDR II技術(shù)。
åŒæ¨£åƒçŸ³æ²¹å…¬å¸ä¸æ–·å‹˜æŽ¢æ–°æ²¹ç”°ä¸€æ¨£ï¼ŒDRAM生產(chÇŽn)å•†ä¹Ÿåœ¨ä¸æ–·åœ°é–‹(kÄi)發(fÄ)æ–°çš„å¸‚å ´(chÇŽng),包括通信和消費(fèi)é›»åå¸‚å ´(chÇŽng)在內(nèi)。他們希望這樣能é™ä½Žå°(duì)PCå¸‚å ´(chÇŽng)çš„ä¾å˜åº¦ï¼Œå¹³ç©©(wÄ›n)渡éŽ(guò)å¸‚å ´(chÇŽng)振蕩期。
許多生產(chÇŽn)商都開(kÄi)å§‹é‡å°(duì)é€™äº›å¸‚å ´(chÇŽng)é–‹(kÄi)發(fÄ)專門的DRAM產(chÇŽn)å“。
ä¸å¹¸çš„æ˜¯ï¼Œéš¨è‘—人們開(kÄi)å§‹å°(duì)å„種模塊和æœå‹™(wù)器進(jìn)行å‡ç´š(jÃ),PCå¸‚å ´(chÇŽng)在未來(lái)ä»å°‡æ˜¯DRAM應(yÄ«ng)用最主è¦çš„æŽ¨å‹•(dòng)力。盡管一些生產(chÇŽn)商èª(rèn)為通信將æˆç‚ºå¦ä¸€å€‹(gè)主è¦çš„æŽ¨å‹•(dòng)åŠ›ï¼Œä½†æ ¹æ“š(jù)iSuppliå…¬å¸çš„é (yù)測(cè),至少在2002å¹´ï¼Œé€šä¿¡å¸‚å ´(chÇŽng)在DRAMéŠ·å”®ä¸æ‰€å 的份é¡å°‡ä»ä½ŽäºŽ2%。
生產(chÇŽn)商å°(duì)消費(fèi)é›»åå¸‚å ´(chÇŽng)的期望值更高。網(wÇŽng)絡(luò)è¨(shè)備和數(shù)å—電視是DRAM應(yÄ«ng)用增長(zhÇŽng)æœ€è¿…é€Ÿçš„é ˜(lÇng)域,但與PCå¸‚å ´(chÇŽng)相比,其份é¡ä»ç„¶å¤ªå°äº†ã€‚
但是,ä¸è«–是消費(fèi)é›»åå¸‚å ´(chÇŽng)還是PCå¸‚å ´(chÇŽng),DRAMé¢è‡¨çš„æœ€å¤§æŒ‘戰(zhà n)éƒ½æ˜¯ä»¥ä¸‹éœ€æ±‚ï¼šæ›´é«˜çš„å¯†åº¦ã€æ›´å¤§çš„å¸¶å¯¬ã€æ›´ä½Žçš„åŠŸè€—ã€æ›´å°‘çš„å»¶é²æ™‚(shÃ)é–“ä»¥åŠæ›´ä½Žçš„價(jià )æ ¼ã€‚å› æ¤ï¼Œå°(duì)DRAM生產(chÇŽn)商和用戶來(lái)說(shuÅ),在消費(fèi)é›»åé ˜(lÇng)åŸŸä¸æ€§åƒ¹(jià )比還是最主è¦çš„è€ƒæ…®å› ç´ ã€‚
ç¾(xià n)在已經(jÄ«ng)有許多公å¸åœ¨é–‹(kÄi)始或已經(jÄ«ng)é–‹(kÄi)å§‹æä¾›å°ˆé–€ç‚ºå„種éžPC應(yÄ«ng)用è¨(shè)計(jì)çš„DRAM,包括çŸå»¶é²DRAM(RL-DRAM)以åŠå„種Rambus DRAM(RDRAM)。
這些專用DRAM的產(chÇŽn)é‡éƒ½å¾ˆå°ï¼Œå–®ä½å”®åƒ¹(jià )å¾ˆé«˜ã€‚å› æ¤ï¼ŒiSuppli相信在éžPCé ˜(lÇng)域內(nèi),這些專用å˜å„²(chÇ”)器永é (yuÇŽn)䏿œƒ(huì)å–代普通的SDRAMå’ŒDDRå˜å„²(chÇ”)器。
所以,å°(duì)DRAM來(lái)說(shuÅ),其未來(lái)屬于低價(jià )ã€æ¨™(biÄo)準(zhÇ”n)ã€å¤§é‡ç”Ÿç”¢(chÇŽn)çš„ã€é¢å‘å…¶å æœ€å¤§ä»½é¡çš„PCå¸‚å ´(chÇŽng)的技術(shù)。
é–ƒå˜å’Œå…¶ä»–éžæ˜“失性å˜å„²(chÇ”)器
ç›®å‰ï¼Œéžæ˜“失性å˜å„²(chÇ”)器技術(shù)的最高水平是閃å˜ã€‚如åŒDRAMä¾è³´äºŽPCå¸‚å ´(chÇŽng)一樣,閃å˜ä¹Ÿä¾è³´äºŽæ‰‹æ©Ÿ(jÄ«)和機(jÄ«)é ‚ç›’å¸‚å ´(chÇŽng)。由于這些è¨(shè)備的需求一直ä¸å¤ å¼·(qiáng)å‹ï¼Œæ‰€ä»¥é–ƒå˜ç›®å‰è‰¯å¥½çš„銷售情æ³åªæ˜¯å£ç¯€(jié)性的,今年下åŠå¹´å°±æœƒ(huì)é™ä¸‹ä¾†(lái)。
但到明年上åŠå¹´ï¼Œæ‰‹æ©Ÿ(jÄ«)ã€æ•¸(shù)å—æ¶ˆè²»(fèi)產(chÇŽn)å“ä»¥åŠæ•¸(shù)å—介質(zhì)的需求會(huì)比較強(qiáng)å‹ï¼Œæ‰€ä»¥é–ƒå˜çš„剿™¯ä¹Ÿæœƒ(huì)變得光明一些。
盡管目å‰éžæ˜“失性å˜å„²(chÇ”)噍䏿œ€å…ˆé€²(jìn)的就是閃å˜ï¼Œä½†æŠ€è¡“(shù)å»å¹¶æœªå°±æ¤åœæ¥ã€‚生產(chÇŽn)商們æ£åœ¨é–‹(kÄi)發(fÄ)多種新技術(shù),以便使閃å˜ä¹Ÿæ“有åƒDRAMå’ŒSDRAM那樣的高速ã€ä½Žåƒ¹(jià )ã€å£½å‘½é•·(zhÇŽng)ç‰ç‰¹é»ž(diÇŽn)。
éžæ˜“失性å˜å„²(chÇ”)器包括éµé›»ä»‹è³ª(zhì)å˜å„²(chÇ”)器(FRAM或FeRAM)ã€ç£ä»‹è³ª(zhì)å˜å„²(chÇ”)器(MRAM)ã€å¥§å¼—辛斯基效應(yÄ«ng)一致性å˜å„²(chÇ”)器(OUM)以åŠèšåˆç‰©å˜å„²(chÇ”)器(PFRAM),å°(duì)數(shù)據(jù)處ç†ä¾†(lái)說(shuÅ),它們都很有å‰é€”ï¼Œå› ?yà n)樗鼈兺黄å±è–™RAMã€DRAM以åŠé–ƒå˜çš„局陿€§ã€‚
æ¯ç¨®æŠ€è¡“(shù)都有自己的目標(biÄo)å¸‚å ´(chÇŽng),iSuppliå…¬å¸å°‡åœ¨ä¸‹é¢é€ä¸€é€²(jìn)行分æžã€‚
FRAM
FRAMæ˜¯ä¸‹ä¸€ä»£çš„éžæ˜“失性å˜å„²(chÇ”)器技術(shù),é‹(yùn)行能耗低,在斷電åŽèƒ½é•·(zhÇŽng)期ä¿å˜æ•¸(shù)據(jù)。它綜åˆäº†RAM高速讀寫(xiÄ›)å’ŒROMé•·(zhÇŽng)期ä¿å˜æ•¸(shù)據(jù)的特點(diÇŽn)。
é€™é …(xià ng)技術(shù)利用了éµé›»ææ–™å¯ä¿å˜ä¿¡æ¯çš„特點(diÇŽn),使用工æ¥(yè)標(biÄo)準(zhÇ”n)çš„CMOSåŠå°Ž(dÇŽo)é«”å˜å„²(chÇ”)å™¨åˆ¶é€ å·¥è—來(lái)生產(chÇŽn),直到近日æ‰ç ”發(fÄ)æˆåŠŸã€‚ä½†æ˜¯ï¼ŒF(xià n)RAM的壽命是有é™çš„ï¼Œè€Œå…¶è®€å–æ˜¯ç ´å£žæ€§çš„,就是說(shuÅ)一旦進(jìn)行讀å–,F(xià n)RAMä¸å˜å„²(chÇ”)的數(shù)據(jù)就消失了。
MRAM
MRAMæ˜¯éžæ˜“失性的å˜å„²(chÇ”)器,速度比DRAM還快。在實(shÃ)é©—(yà n)室ä¸ï¼ŒMRAM的寫(xiÄ›)入時(shÃ)é–“å¯ä½Žè‡³2.3ns。
MRAMæ“æœ‰ç„¡(wú)陿¬¡çš„讀寫(xiÄ›)能力,并且功耗極低,å¯å¯¦(shÃ)ç¾(xià n)瞬間開(kÄi)é—œ(guÄn)機(jÄ«)并能延長(zhÇŽng)便攜機(jÄ«)çš„é›»æ± ä½¿ç”¨æ™‚(shÃ)間。而且,MRAM的電路比普通å˜å„²(chÇ”)器還簡(jiÇŽn)單,整個(gè)芯片åªéœ€ä¸€æ¢è®€å‡ºé›»è·¯ã€‚
但就生產(chÇŽn)æˆæœ¬ä¾†(lái)看,MRAM比SRAMã€DRAMåŠé–ƒå˜éƒ½é«˜å¾—多。
OUM
OUMæ˜¯ä¸€ç¨®éžæ˜“失性å˜å„²(chÇ”)器,å¯ä»¥æ›¿ä»£ä½ŽåŠŸè€—çš„é–ƒå˜ã€‚å®ƒæ“æœ‰å¾ˆé•·(zhÇŽng)的讀寫(xiÄ›)æ“ä½œå£½å‘½ï¼Œå¹¶ä¸”æ¯”é–ƒå˜æ›´æ˜“集æˆã€‚OUMå˜å„²(chÇ”)å–®å…ƒçš„å¯†åº¦æ¥µé«˜ï¼Œè®€å–æ“作完全安全,åªéœ€æ¥µä½Žçš„電壓和功率å³å¯å·¥ä½œï¼ŒåŒç¾(xià n)有é‚輯電路的集æˆä¹Ÿç›¸ç•¶(dÄng)ç°¡(jiÇŽn)單。用OUM單元制作的å˜å„²(chÇ”)器大約å¯å¯«(xiÄ›)å…¥10億次,這使它æˆç‚ºä¾¿æ”œè¨(shè)å‚™ä¸å¤§å®¹é‡å˜å„²(chÇ”)å™¨çš„ç†æƒ³æ›¿ä»£å“。
但是,OUM有一定的使用壽命,長(zhÇŽng)期使用會(huì)出一些å¯é 性å•(wèn)題。
PFRAM
PFRAM是一種塑料的ã€åŸºäºŽèšåˆç‰©çš„éžæ˜“失性å˜å„²(chÇ”)器,通éŽ(guò)三ç¶å †ç–ŠæŠ€è¡“(shù)å¯ä»¥å¾—到很高的密度,但它的讀寫(xiÄ›)æ“作壽命有é™ã€‚
PFRAMå¯èƒ½æœƒ(huì)替代閃å˜ï¼Œå¹¶ä¸”å…¶æˆæœ¬åªæœ‰NOR型閃å˜çš„10%å·¦å³ã€‚å¡‘æ–™å˜å„²(chÇ”)器的å˜å„²(chÇ”)潛力也相當(dÄng)巨大。
今åŽï¼Œç”Ÿç”¢(chÇŽn)èšåˆç‰©å˜å„²(chÇ”)器å¯èƒ½æœƒ(huì)變得åƒå°ç…§ç‰‡ä¸€æ¨£ç°¡(jiÇŽn)單,但今年æ‰å‰›å‰›é–‹(kÄi)å§‹å°(duì)這種å˜å„²(chÇ”)器的生產(chÇŽn)å·¥è—進(jìn)è¡Œç ”ç™¼(fÄ)。PFRAM的讀寫(xiÄ›)次數(shù)也有é™ï¼Œå¹¶ä¸”其讀å–ä¹Ÿæ˜¯ç ´å£žæ€§çš„ï¼Œå°±åƒFRAM一樣。
總之,å˜å„²(chÇ”)器技術(shù)將會(huì)繼續(xù)發(fÄ)展,以滿足ä¸åŒçš„æ‡‰(yÄ«ng)用需求。就PCå¸‚å ´(chÇŽng)來(lái)說(shuÅ)ï¼Œæ›´é«˜å¯†åº¦ã€æ›´å¤§å¸¶å¯¬ã€æ›´ä½ŽåŠŸè€—ã€æ›´çŸå»¶é²æ™‚(shÃ)é–“ã€æ›´ä½Žæˆæœ¬çš„主æµDRAM技術(shù)將是ä¸äºŒä¹‹é¸ã€‚
è€Œåœ¨éžæ˜“失性å˜å„²(chÇ”)å™¨é ˜(lÇng)域,供應(yÄ«ng)商們æ£åœ¨ç ”ç©¶é–ƒå˜ä¹‹å¤–çš„å„種技術(shù),以便滿足ä¸åŒæ‡‰(yÄ«ng)用的需求,而這些技術(shù)儿œ‰å„ª(yÅu)劣。
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