編者按：東芝推出43nm的SLC NAND閃存——引進行業(yè)內(nèi)最高密度的SLC NAND16Gb芯片和改進的SLC產(chǎn)品 2008年10月29日,北京）東芝今天宣布推出43nm單層存儲單元（SLC）的NAND閃存，產(chǎn)品容量從512Mb到64Gb，共有16種系列。新產(chǎn)品包括16Gb、32Gb和64Gb三種，結(jié)合采用43nm制程技術(shù)的單16Gb芯片，這是市場上最高密度的芯片。新產(chǎn)品將從2009年第1季度開始逐步進入市場。 SLC芯片讀寫次數(shù)多，且讀寫速度快，可靠性高。東芝開發(fā)新型SLC產(chǎn)品是為了滿足不斷變化的市場應(yīng)用需求，改進型產(chǎn)品系列可以滿足需要高讀寫速度與可靠性的移動電話、平板電視、辦公自動化設(shè)備和服務(wù)器等的需求。 近年來，東芝公司通過加速用于記憶卡和MP3播放器等市場的大容量數(shù)據(jù)存儲的高密度多層存儲單元（MLC）芯片的開發(fā)，推動了NAND閃存市場的發(fā)展。采用56nm和70nm制程技術(shù)的SLC芯片生產(chǎn)受到限制。東芝將通過采用更大范圍的適合高水平數(shù)據(jù)存儲的SLC閃存系列，不斷擴大其滿足不同嵌入式應(yīng)用需求的高增值產(chǎn)品，通過先進制程技術(shù)的應(yīng)用，推進量產(chǎn)。 新產(chǎn)品概要 新產(chǎn)品主要特征 1.運用領(lǐng)先的43nm制程技術(shù)和增加數(shù)據(jù)存儲的先進技術(shù)，將每塊芯片的容量提升到了以往56nm的SLC產(chǎn)品的2倍。從而為需要更高性能和可靠性的設(shè)備提供服務(wù)。 2.與MCL NAND閃存相比，新產(chǎn)品的寫入速度約為2.5倍＊。 ＊ 16Gb的MLC和SLC產(chǎn)品比較 注：8位=1字節(jié) <16GB產(chǎn)品>