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A股上市企業與武漢理工開發SiC晶圓外延設備

時間:2024-06-14

來源:全球半導體觀察

導語:6月11日,廣東匯成真空科技股份有限公司(以下簡稱匯成真空)在投資者互動平臺表示,其與武漢理工大學簽訂了《碳化硅晶圓外延單片機熱、流場設計的技術開發合同書》,合作內容為雙方共同參與SiC晶圓外延單片機系統中真空系統、溫場、氣路系統的設計。

       6月11日,廣東匯成真空科技股份有限公司(以下簡稱匯成真空)在投資者互動平臺表示,其與武漢理工大學簽訂了《碳化硅晶圓外延單片機熱、流場設計的技術開發合同書》,合作內容為雙方共同參與SiC晶圓外延單片機系統中真空系統、溫場、氣路系統的設計。

  官網資料顯示,匯成真空成立于2006年,是一家面向全球的真空應用解決方案提供商,研發、生產和銷售光學鍍膜設備、功能性薄膜涂層設備、裝飾涂層設備、卷繞鍍膜設備、汽車零部件鍍膜設備、連續式磁控濺射鍍膜生產線、超高真空系統等真空設備、ALD原子層沉積設備、半導體設備、電子生產設備、光電設備、光伏設備、動力電池設備及產品相關配件,專注設備與產品的相關制造工藝和應用技術、控制軟件、工藝流程控制軟件及相關生產自動化軟件的研發、應用。

  技術方面,匯成真空重點發展連續式磁控鍍膜生產線、柔性薄膜卷繞鍍膜技術、光學鍍膜技術及離子鍍膜技術,包括非平衡磁控、中頻磁控濺射、電弧蒸發源、離子源輔助鍍膜、電子束蒸發、PECVD等多種核心技術組合,針對每個行業的特殊需求,將尖端設備技術和綜合工序以及應用專業技術相結合,從研發、原型制作到批量生產,提供定制化的真空應用工藝技術及設備解決方案。

  SiC業務方面,近日,匯成真空公開一項“一種高均勻性碳化硅高溫氧化爐”專利,申請公布號為CN117824353A,申請日期為2024年1月2日。

  該專利摘要顯示,本發明公開了一種高均勻性碳化硅高溫氧化爐,其包括工藝腔體、晶圓架、爐門、預加熱腔和旋轉機構,爐門通過升降機構安裝在工藝腔體的下方,工藝腔體內部設有工藝爐管和加熱器,晶圓架通過旋轉機構安裝在爐門上,使用時由旋轉機構帶動晶圓架轉動;預加熱腔安裝在工藝腔體的上面,預加熱腔通過氣體通道與工藝爐管連通,預加熱腔內設有預加熱裝置,預加熱腔上設置進氣口,工藝腔體的遠離預加熱腔的位置設置抽氣口;使用時從進氣口輸入工藝氣體,工藝氣體經預加熱腔的預加熱裝置加熱后再進入工藝爐管內,同時從抽氣口抽出氣體。本發明能更均勻的對內部的晶圓片進行加熱,從而得到更高質量的碳化硅柵氧層。

  6月5日,匯成真空首次公開發行股票并在深交所創業板成功上市。

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