范登布林克在本月 21~22 日舉行的 2024 年度 imec ITF World 技術論壇上表示：
我們提出了一個長期(也許十年)的路線圖：我們將擁有一個包含 Low NA(0.33NA)、High NA(0.55NA)和 Hyper NA(預計為 0.7NA 以上) EUV 系統的單一平臺。
根據瑞利判據公式，更高的數值孔徑意味著更好的光刻分辨率。
范登布林克表示，未來的 Hyper NA 光刻機將簡化先進制程生產流程，規避通過 High NA 光刻機雙重圖案化實現同等精度帶來的額外步驟與風險。
多種 EUV 光刻機共用一個基礎平臺，在降低開發成本的同時，也便于將 Hyper-NA 機臺的技術改進向后移植到數值孔徑更低的光刻機上。
根據此前報道，ASML 最新的 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 就導入了為 High NA 光刻機開發的快速載物臺移動系統。
此外，ASML 還計劃將其 DUV 和 EUV 光刻機的晶圓吞吐量從目前的每小時 200~300 片增加到每小時 400~500 片，從而提升單臺光刻機的生產效率，在另一個側面降低行業成本。
在演講中范登布林克還提到：“當前人工智能的發展趨勢表明，消費者對多種應用有著強烈的需求。而限制需求的因素包括能耗、計算能力和所需的海量數據集。”
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