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SiC設備廠商晶升股份宣布總部生產及研發中心項目封頂

時間：2023-11-30

來源：全球半導體觀察

導語：11月28日，晶升股份宣布，公司總部生產及研發中心項目完成封頂。晶升股份表示，“總部生產及研發中心建設項目”是在公司現有主營業務的基礎上實施產能擴充，同時進行晶體生長設備和長晶工藝的技術研發與升級，加快研發成果產業化，助力公司拓寬產品線，從而更好地滿足客戶需求。

       11月28日，晶升股份宣布，公司總部生產及研發中心項目完成封頂。晶升股份表示，“總部生產及研發中心建設項目”是在公司現有主營業務的基礎上實施產能擴充，同時進行晶體生長設備和長晶工藝的技術研發與升級，加快研發成果產業化，助力公司拓寬產品線，從而更好地滿足客戶需求。

　　資料顯示，晶升股份成立于2012年2月，是一家專業從事8-12英寸半導體級單晶硅爐、6-8英寸碳化硅、砷化鎵等半導體材料長晶設備及工藝開發的國家高新技術企業，可為不同類型的半導體材料客戶提供定制化晶體生長設備、工藝及技術服務。

　　近期，晶升股份在接受機構調研時表示，公司積極開拓中國臺灣市場并與客戶保持密切的技術交流，目前已經取得批量訂單且訂貨數量持續增加。此外，公司也正積極布局海外市場。晶升股份指出，公司的半導體級單晶硅爐和SiC單晶爐都已在中國臺灣成功交付并驗收，設備在客戶現場表現良好。公司在中國臺灣地區的主要競爭對手為德國、韓國以及日本等國外設備廠商。

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