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高新發展:芯未半導體10億元功率半導體項目廠房已封頂

時間:2023-02-03

來源:全球半導體觀察

導語:此前公告指出,2022年6月,高新發展及全資子公司成都倍特建設開發有限公司將以現金2.82億元購買成都森未科技有限公司(以下簡稱“森未科技”)股權及其上層股東權益。

       2月1日,高新發展在投資者互動平臺表示,截至目前,芯未半導體建設各項工作進展順利,廠房建設現已封頂,爭取早日實現投產。

  此前公告指出,2022年6月,高新發展及全資子公司成都倍特建設開發有限公司將以現金2.82億元購買成都森未科技有限公司(以下簡稱“森未科技”)股權及其上層股東權益。

  交易完成后,高新發展以直接和間接方式控制森未科技69.401%的股權,取得森未科技控制權。同時,擬以現金195.9706萬元購買高投集團持有的芯未半導體98%股權,芯未半導體是2022年初森未科技與高投集團成立的合資企業。

  據成都日報報道,2022年8月,成都高新西區高投芯未高端功率半導體器件和組件研發及產業化項目開工。該項目總投資約10億元,運營方為成都高投芯未半導體有限公司,主要從事IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)等功率半導體芯片及產品的設計、開發、銷售。項目建成投產后,將為功率半導體設計企業提供IGBT特色授權委托加工服務,包括IGBT芯片、模組及方案組建產品等,實現年營收9億元。

  該項目占地30畝,計劃分兩期建設。其中,一期將建設一條8英寸超薄IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)特色背面晶圓線,一條高端功率半導體集成封裝生產線。一期項目建成后,將形成年產120萬只功率半導體模塊制造能力,10萬套集成組件生產能力

  成都高投芯未半導體有限公司執行董事兼總經理胡強表示,按照計劃,2023年6月將完成包括潔凈廠房在內的所有裝修工作,具備設備搬遷的條件。此外,2023年第三季度封裝產線進入聯調階段,第四季度投入試生產,到2024年第一季度,IGBT背面超薄晶圓特色工藝平臺也將投入使用,并將于2025年擇機啟動二期擴產建設。

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