在全球經濟衰退加劇、電子產品需求疲軟之際,臺積電正在減少資本支出,但在美國新建第二座工廠將是一項重大支出。《華爾街日報》早些時候報道稱,臺積電將公布在美國另一家工廠的投資計劃,新工廠投資規模與第一個項目類似,約為120億美元。
臺積電在聲明中表示,“鑒于客戶對臺積電先進技術的強勁需求,以及基于運營效率和成本經濟方面的考慮,我們將考慮在亞利桑那州新建第二座工廠,以提高產能。這座建筑使我們能夠為未來的擴張保持靈活性,但我們還沒有就第二座工廠的建設做出最終決定。”
據路透社報道,臺積電可能將領先的N3制造技術的芯片生產帶到亞利桑那州芯片生產基地,作為其擴張的一部分。臺積電已經在該基地建立了一個晶圓廠外殼,如果該公司認為美國對N3有足夠的需求,將快速地安裝適當的生產。
《華爾街日報》援引知情人士的話報道稱,臺積電正在考慮為新廠房配備足夠先進的工具,以利用該公司N3系列(其中包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X)的領先制造技術制造芯片。
華盛頓稱贊臺積電在亞利桑那州的擴張是進一步將先進芯片制造帶回美國。但臺積電表示,在美國制造半導體的成本要高得多,不過在政府的支持下,這種高成本是可控的。
臺積電的生產基地大多在中國臺灣。過去一年左右,該公司已開始實現業務多元化,以幫助滿足一些國家尋求提高半導體生產的需求。據悉,臺積電正在日本建設一個耗資70億美元的工廠,并正在與德國政府就在當地建立工廠的可能性進行初步談判。
此前有媒體報道稱,臺積電耗資120億美元的5納米芯片制造廠將于12月中旬在亞利桑那州鳳凰城(Pheonix)舉行首批機器入廠儀式。美國總統拜登也將出席該儀式。有報道稱,臺積電將從中國航空公司包機將設備和員工運送至鳳凰城,第一批包機于11月1日開始起飛。臺積電飛往鳳凰城的包機預計每兩周一次。
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