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臺積電退出 英飛凌推進：擴展GaN晶圓生產

時間：2025-07-07

來源：21ic電子網

導語：7月7日消息，據媒體報道，英飛凌宣布其在12英寸(300mm)晶圓上的可擴展氮化鎵(GaN)生產技術已成功步入正軌。公司計劃于2025年第四季度開始向客戶提供首批樣品。

　　英飛凌強調，其作為垂直整合制造商(IDM)的生產策略，能夠確保更高質量的產品、更快的上市時間以及出色的設計和開發靈活性。

　　公司掌握了在硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)這三種關鍵材料上進行300mm晶圓生產的技術。GaN半導體因其更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率損耗優勢，可實現更緊湊的設計，從而顯著降低智能手機充電器、太陽能逆變器、工業及人形機器人等電子設備的能耗和發熱。

　　英飛凌是全球首家成功在現有基礎設施中開發出300mm GaN晶圓技術的半導體制造商。與當前主流的200mm晶圓相比，300mm晶圓生產技術更先進、效率更高，更大的晶圓直徑使每片晶圓的芯片產量提升至原來的2.3倍。

　　與此同時，有傳聞稱晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)將退出GaN晶圓代工市場，其位于中國臺灣新竹的相關產線將停止生產。

　　臺積電已向DigiTimes證實此消息，表示經過全面評估后，基于市場狀況和公司長期業務策略的考量，決定在未來兩年內逐步退出GaN晶圓代工業務。臺積電表示正與客戶緊密合作，以確保在過渡期內順利完成業務交接。

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