【中國傳動網 行業動態】 有消息顯示，芯片市場目前已開始喪失部分動能，廣泛應用于智能手機的高端閃存芯片的價格在2017年第四季度下跌了近5%，NAND閃存價格由漲轉跌。

2018年內存芯片價格持續居高不下，有報告顯示，2018年第三季度和第四季度NAND閃存的平均銷售價格預計將下降10%，其主要原因是因為市場需求不足，尤其是智能手機旺季卻被滯銷，再加上最近英特爾14nm產能不足的消息，導致了PC市場需求雪上加霜。

三大存儲器的價格大幅上漲

2017年，存儲器銷售額為歷年來最高點，超過1200億美元，占全球半導體市場總值的30.1%。其主要原因，是DRAM和NANDFlash從2016年下半年起缺貨，從而引發的漲價。

1、DRAM平均售價同比上漲77%，銷售總值達720億美元，同比增長74%。

2、NANDFlash平均售價同比上漲38%，銷售總額達498億美元，同比增長44%。

3、NORFlash銷售總額為43億美元。

由此看出，三大存儲器的價格大幅上漲導致全球存儲器總體市場增長58%，存儲器也首次超越歷年占比最大的邏輯電路，成為全球半導體市場銷售額占比最高的分支，在產業中占據極為重要的地位。

存儲器市場的景氣大幅度攀升

受惠于全球智能手機出貨量的增長以及電子信息設備內存搭載量的不斷攀升，從2016年下半年起，全球存儲器市場：DRAM和NAND閃存等，結束了連續18個月的低迷景象，無論是存儲器的出貨量還是銷售價格，都出現了大幅度的提升。據多家市場調研機構調查分析，這一輪存儲器市場的景氣延續至2017年和2018年上半年。

2016年全球DRAM的銷售規模為454億美元;而Flash的銷售規模為319億美元，其中NANDFlash為312億美元，NORFlash僅為7億美元左右。全球存儲器的市場規模為773億美元，比2015年減少7.3%。初步統計2017年存儲器市場規模達到853億美元，較2016年增長10.3%。到2021年可望擴大至1099億美元，2016～2021年年均增長率將達7.3%。

與此同時，存儲器的制造技術也顯著提升,全球三大DRAM廠商的制程技術從2Xnm推進到1Xnm，3DNAND閃存從48層提升至64層,ReRAM和MRAM越來越顯示出它們的應用前景。

存儲器產能有限，量價齊增

目前，三星、SK海力士兩大韓系廠商在擴產腳步上是猛踩油門，包括三星在韓國平澤的P1廠房和Line15生產線，以及SK海力士的M14生產線，與此同時，美光在廣島的Fab15和Fab16也有DRAM擴產計劃，但產能的增加仍主要依靠兩大韓系廠商。

根據三家公司目前最新的建廠規模，2017年全球每季度芯片產能為1100K左右。到2018年，預計三星和SK海力士將會有接近20%左右的產能提升，美光的產能增量為10%，預計全球每季度芯片產能為1200K左右。

隨著工藝尺寸越來越小，DRAM良率無法得到有效控制，導致DRAM產能增速的放緩，與此同時，EUV光刻設備年產能極其有限，這些問題使得DRAM工藝節點突破困難重重，各廠商工藝進度計劃也被迫一再推遲。再加上賣方主導DRAM市場和新型非易失性存儲器技術的出現，進一步造成了全球范圍內DRAM龍頭企業技術升級和擴產意愿下降。

總的來說，DRAM擴產受困于技術瓶頸和國際大廠的壟斷，2018-2020年全球bitgrowth將繼續徘徊在20%左右的歷史低位水平。但是下游終端應用的市場需求將持續溫和上升，特別是終端品牌繼續向國產品牌集中，造成國產手機對于DRAM產品的需求出現區域性的增加，同時5G、云計算、IDC等將拉動服務器應用大幅增長，隨著5G商用的節點越來越近，將帶動內存市場需求的加速提升。