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傳三星正將平澤128層NAND閃存產線轉為236層?

時間：2023-08-31

來源：全球閃存市場

導語：據此前報道，三星已制定生產計劃，目標年底NAND庫存正?；?，即6-8周。其晶圓投入量將較上半年減少10%，目前該公司減產的主要目標是128層第6代V-NAND(V6)，該產品庫存較多。

       據韓媒《Etnews》引述業內人士29日透露，三星電子正在將平澤第一工廠的NAND閃存生產線從128層工藝轉換為236層工藝。這是三星電子減少庫存較多的128層NAND閃存的產量，專注于尖端產品的策略。

　　據此前報道，三星已制定生產計劃，目標年底NAND庫存正常化，即6-8周。其晶圓投入量將較上半年減少10%，目前該公司減產的主要目標是128層第6代V-NAND(V6)，該產品庫存較多。

　　雖然具體規模尚未確認，但據悉三星電子將改變平澤的許多P1NAND生產線。多位熟悉三星情況的業內人士表示，“據了解，轉產政策已經確定，工作已經開始”。

　　P1工廠是三星電子的核心生產基地，其產能為每月10萬片DRAM和19萬片NAND基于12英寸(300毫米)晶圓。

　　據稱，三星正試圖減少產品產量，并將生產轉移到目前商用產品中最先進的236層NAND。由于半導體工藝轉換需要相當長的時間，設備更換期間的減產效果顯著，意味著可以快速減少128層NAND的庫存。

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