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超1000億，三星加碼NAND閃存、晶圓代工等新技術研發

時間：2022-08-23

來源：半導體觀察

導語：據韓聯社報道，該研發園區總面積約10.9萬平方米，將主管NAND閃存、晶圓代工、系統芯片等新技術研發。三星電子計劃到2028年對該園區投資約20萬億韓元(約合人民幣1030億元)。

       近日，市場傳出，半導體大廠三星電子將在本月開設一個新的研發中心，負責更先進NAND Flash產品研發。

　　最新消息是，三星電子已于8月19日在韓國京畿道器興園區舉行了下一代半導體研發(R&D)園區動工儀式。

　　據韓聯社報道，該研發園區總面積約10.9萬平方米，將主管NAND閃存、晶圓代工、系統芯片等新技術研發。三星電子計劃到2028年對該園區投資約20萬億韓元(約合人民幣1030億元)。

　　據悉，這是三星電子自2014年以來時隔8年在國內新建研發中心。三星電子相關人士表示，若建成具備尖端設備的研發中心，有望縮短新一代產品研發時間，提升半導體質量。

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