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打破存儲器國外把持 紫光啟動南京存儲器基地

時間:2017-11-30

來源:網絡轉載

導語:總投資300億元美元的紫光南京半導體產業基地和總投資300億元人民幣的紫光IC國際城項目正式宣布開工。

總投資300億元美元的紫光南京半導體產業基地和總投資300億元人民幣的紫光IC國際城項目正式宣布開工。這是紫光集團繼2016年12月30日武漢長江存儲項目開工后,時隔42天又一重大項目拓土動工。

紫光集團21日與南京銀行簽署戰略合作協定,紫光集團與南京的合作以及南京專案的建設進入實質性啟動階段。紫光將投資300億美元打造紫光南京半導體產業基地,并投資300億元的紫光IC國際城項目。

紫光南京半導體產業基地主要將生產3DNANDFLASH存儲芯片和DRAM存儲器芯片,一期占地約700畝,二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長江存儲、在成都打造晶圓廠,另一個紫光大型的存儲器生產南京基地也已經實質啟動。

南京銀行提供紫光戰略資金支持

根據南京當地媒體報導,紫光集團21日已與南京銀行簽署戰略合作協定。省委常委、南京市委書記張敬華、市長繆瑞林,紫光集團董事長趙偉國出席簽約儀式。南京銀行董事長胡升榮與紫光集團總裁張亞東代表雙方簽署協定。

張敬華在致辭中說,積體電路產業是資訊技術產業的核心,也是南京正在著力打造的又一個千億級產業;紫光集團是積體電路產業的領先企業,南京銀行是本土金融機構,雙方戰略合作對南京的科技金融業發展和實體經濟提檔升級將起到有力推動作用。

趙偉國、胡升榮表示,此次簽約標志著紫光集團與南京的合作以及南京專案的建設進入實質性階段。雙方將推動專案加快建設,爭取早日投產達效。

紫光南京300億美元項目實質啟動

當前南京已經為半導體產業之城,包括臺積電、紫光都落地于此。紫光半導體產業項目總投資額達300億美元,同時還將投資人民幣300億元建成紫光IC國際城。兩個項目的投資主體均為紫光集團有限公司。

紫光南京半導體產業基地主要產品為3DNANDFLASH存儲芯片和DRAM存儲器芯片,一期占地約700畝,二期占地約800畝;基地一期正式達產后,將月產10萬片,預計年產值達48億美元;二期正式達產后,月產20萬片,預計年產值達100億美元。

紫光IC國際城配套國際社區,占地約1,600畝,包含IC國際城研發園、科技園、設計封裝測試基地、國際學校(擬引入清華附中分校,建設從幼稚園到高中的國際學校)、商業、住宅等綜合配套設施。項目建設周期為2017年到2019年。IC國際城規劃可容納1萬人左右。

打破存儲器國外把持紫光要圓自產夢

清華紫光集團董事長趙偉國表示,南京已是大陸高科技產業和半導體產業的重要基地,南京市政府推動創新發展、服務誠懇細致,因此紫光選擇了南京。他認為,紫光南京基地的加入,將推動南京躍居為全國最重要的半導體產業城市。

紫光在南京建設基地,將引進國內還不具備完全研發和生產能力的3DNANDFLASH存儲芯片和DRAM存儲器芯片,將有利大陸國產存儲器生產,打破存儲器芯片由國外把持的局面。目前,全球存儲市場幾乎被東芝、三星、美光、SanDisk、海力士等五家廠商瓜分,但大陸卻基本處于空白,大陸企業還處于追趕起步的階段。

日前趙偉國接受央視訪談時便發下豪語,為了強大國內芯片產業,“敢把所有的東西壓上去。。。因為這關系到國家戰略的實現”。

趙偉國雄心:“敢把所有的東西壓上”

事實上趙偉國擘劃存儲器雄心壯志卻非一路平坦風順,今年2月,證監會發布再融資新規導致企業重組難度加大,加上監管、審批難度高,促使紫光國芯的800億元定增融資計劃告終;但此一挫折,未影響到趙偉國的雄心,紫光國芯遂計劃加碼對長江存儲的整合。

紫光集團控股子公司紫光國器出資人民幣197億元,占股51.04%直接對長江存儲形成控股;另方面4月,紫光國芯則首次披露對長江存儲重組進展,對外稱是以非公開發行方式買入長江存儲。

然而,新的重組計劃披露不到3個月就宣告終止,七月時,紫光國芯突然對外宣布,終止對長江存儲股權收購計劃,原因是長江存儲目前尚處于初期,短期內無法產生銷售收入。

紫光對長江存儲的整合規劃受阻,卻并未阻撓紫光另外在成都、南京共三個基地的規劃,預計三地總投資將超過700億美元。

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