材料產業處于集成電路制造環節的上游，材料的質量直接影響集成電路產品質量，材料的穩定供應也與企業生產進度綁定。近日863計劃先進制造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究”課題通過了技術驗收。

受惠于內存價格大漲帶動半導體市場增長，Gartner預測，2017年全球半導體市場總營收將達到4111億美元，較2016年增長19.7%。這是繼2010年從金融危機中復蘇且全球半導體營收增加31.8%之后，增長最為強勁的一次。

Gartner表示看好明年市場仍維持增長。Gartner預測，2018年半導體市場可望增長4%，達到4274億美元規模，繼續創新高。在全球利好趨勢下，國內半導體行業快速增長，帶動半導體材料需求快速釋放。

今年以來隨著晶圓代工龍頭臺積電開始量產10納米制程，明年上半年更將跨入7納米制程，且英特爾今年底前也將開始放量生產10納米制程，三星明年也將進入8納米LPP制程，晶圓廠對于設備需求正持續擴大。

業內人士表示表示，今年以來半導體設備支出維持在高檔水位，同步帶動設備概念股業績創下新高。然而目前國內半導體材料絕大部分仍依賴進口，本土半導體材料廠商僅能滿足約20%的需求，且大多為中低端材料。

要知道，材料產業處于集成電路制造環節的上游，材料的質量直接影響集成電路產品質量，材料的穩定供應也與企業生產進度綁定，甚至對集成電路產品的市場價格走勢帶來決定性影響。

不過近日我國在半導體制造材料制造設備方面有了新突破。相關消息表示，近日863計劃先進制造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究”課題通過了技術驗收。

在國家863計劃的支持下，由新疆天科合達藍光半導體有限公司牽頭，中科院物理研究所、半導體研究所、浙江大學等單位共同參與的研發團隊成功研制了滿足高壓SiC電力電子器件制造所需的4-6英寸SiC單晶生長爐關鍵裝備，形成了我國具有自主知識產權的4-6英寸SiC單晶生長爐關鍵裝備體系。

所研制的4-6英寸通用型SiC單晶爐，實現了“零微管”(微管密度<1個/cm2)4英寸SiC單晶襯底和低缺陷密度的6英寸SiC單晶襯底的制備技術，掌握了相關外延工藝技術，生長出12μm、17μm、35μm、100μm等不同厚度的SiC外延晶片，并制備了1200V、1700V、3300V、8000V碳化硅二極管系列產品。目前已在市場上批量推廣使用。

隨著我國半導體產業相關技術不斷獲得新進展，中國半導體行業協會信息交流部主任任振川認為，未來三到五年中國集成電路產業預計將保持年均20%的增長，未來對半導體材料的需求巨大，國內半導體材料市場潛力巨大，未來幾年中國半導體材料產業將迎來新一輪發展機遇，產業自給率有望逐步提升，國產化替代前景值得期待。

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