芯片對于一國來說顯得至關重要，這些年國家開始大舉發展國產芯片。過去芯片一直被韓國、美國等壟斷，在議價、出貨量方面顯得被動不堪。現在我國開始發展芯片，希望能夠滿足本國市場70%的需求。現在引來新的消息，我國3DNAND存儲器研發項目取得新進展，32層3DNAND芯片順利通過電學特性等各項指標測試，達到預期要求。

目前市場上許多固態硬盤（SSD）都已經轉向3DNAND閃存。因為，不論是性能，還是容量，或者是使用壽命，3DNAND閃存都要比傳統2DNAND閃存好得多。而且，廠商也會借此來降低生產成本，以提高產量。事實上，在轉向3DNAND生產方面，實力最強的仍以韓國三星領先，東芝（Toshiba）/Sandisk與SK海力士其次，我國還是空白。

三星始作俑者導致存儲器漲價，三星霸主地位使得三星有能力主導價格提升，彌補Note7爆炸導致的巨額損失。由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，現在啟動的是第一期，主要目標是生產3DNAND閃存，2018年將啟動第二期建設，規劃是上DRAM內存芯片，2019年啟動第三期建設，主要目標是代工服務，產能也會越來越大。過去中國缺少NAND閃存自主生產能力是個大問題，現在問題解決了已經在布局了。

外媒報道稱，中國這樣的新一輪大規模國產化攻勢或將動搖以美國為首隨后是韓國、日本和臺灣地區主導的世界市場。在鋼鐵、船舶建造、太陽能面板之后，中國大陸這個亞洲巨頭又打算通過巨額投資的模式再一次擊暈對手。不過直到目前，三星和臺積電都處于業內領先位置。這些企業是在上世紀80年代實施的發展戰略的成果。現在3DNAND存儲器芯片研發系列工作得到了國家集成電路產業基金、紫光控股、湖北省國芯投資、湖北省科投的大力支持。

大家都看得到，中國做存儲，做NAND存儲，是必然的。消息是振奮人心的，但道路可預見也是坎坷崎嶇的。中國做存儲是必然的，區別只是或早或晚，所有一切都是從零開始，今天不去做，明天碰到的困難還是那么多。期待中國企業可以在存儲行業占一席之地的未來。

記憶體業者自相殘殺，等到中國廠商進入市場，情況將急轉直下。報告稱，中國可能是足以顛覆市場的競爭者，他們財力雄厚，等到供給上線后，市況將慘不忍睹。武漢新芯(XMC)的3DNAND技術大約落后領先廠商4~5年，他們打算狂燒資本加緊追趕，等到量產之后，市場供給過剩將更加惡化。外媒報告稱，中國可能是足以顛覆市場的競爭者，目前國產3D閃存還在奮力追趕競爭者。