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英飛凌推出全新可控逆導型IGBT芯片以提高牽引和工業傳動等高性能設備的可靠性

時間:2015-06-25

來源:英飛凌科技中國有限公司

導語:通過推出RCDCIGBT芯片,英飛凌進一步壯大其高性能6.5kVKE3IGBT產品的系列。

英飛凌科技股份公司昨日發布一款采用可控逆導型IGBT,在同一芯片上集成了IGBT和續流二極管的6.5kV功率模塊。新發布的這款RCDC(二極管可控逆導型IGBT)IGBT芯片,非常適合現代高速列車和高性能電力機車,以及未來的HVDC輸電系統和傳動裝置。較之安裝尺寸相同的前幾代模塊,采用RCDCIGBT的模塊電流密度提高了33%,散熱性能也有所增強。因此,它可以延長產品工作壽命并提高可靠性,進而最大限度降低系統維護工作量。

通過推出RCDCIGBT芯片,英飛凌進一步壯大其高性能6.5kVKE3IGBT產品的系列。該芯片的電流密度之所以能夠得以提高,是因為它的正向和反向電流的有效硅面積都增加了,因而設計人員可以靈活提高系統輸出功率,而無需以加大外形尺寸為代價。或者,利用其更高功率密度的優點,可以在保持功率不變的情況下減少IGBT并聯數量,從而減小系統尺寸、減輕產品重量,并降低成本。

英飛凌的RCDCIGBT,采用行業標準尺寸IHVA高絕緣封裝,可輕松進行替換現有產品。除有助于提高功率密度外,IGBT和二極管的單片集成還可大幅改善二極管I2T值,以及IGBT和二極管熱阻(Rth/Zth)。低熱阻確保器件在整個工作溫度范圍內實現良好的散熱性能。更低實際結溫(Tvj)紋波,使器件有更長使用壽命,當使用二極管柵極控制時,可讓設計人員通過權衡導通損耗和開關損耗來優化總體效率。

供貨情況

RCDC模塊的工程樣品現已開始供貨,為了簡化并加快客戶設計,英飛凌提供多種設計支持,包括應用筆記和評估驅動板等。評估套件計劃2015年第四季度發布。

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