隨著半導體集成電路產業的飛速發展，為了克服隨著技術節點減小帶來的阻容遲滯（RCDelay），銅低k/超低k介質互連結構被引入半導體工業中。因為低k/超低k介質材料脆弱的機械性能，阻礙其被廣泛應用于半導體器件量產中。
“盛美最新開發的無應力拋光（theUltraSFP）設備，能夠對于28nm至40nm及以下節點銅低k/超低k互聯結構進行無應力，無損傷的拋光。”盛美半導體設備公司的創始人、首席執行官王暉博士說，“該設備整合了無應力拋光工藝（SFP），熱氣相蝕刻工藝（TFE）；并且可以和現有生產線所使用的傳統化學機械研磨工藝（CMP）無縫銜接，在下一代工藝技術節點應用中，無需對現有CMP設備進行升級改造；利用其各自獨特的工藝優點，確保整個工藝對銅互連結構無任何損傷。”
無應力拋光設備應用于銅低k/超低k互連結構有諸多優點：其一，依靠拋光自動停止原理，平坦化工藝后凹陷更均勻及精確可控；其二，工藝簡單，采用環保的可以循環實用的電化學拋光液，沒有拋光墊，研磨液等，耗材成本降低50%以上；對互聯結構中金屬層和介質層無劃傷及機械損傷；其三，可以將工藝擴展至新型材料鈷（Co）和釕（Ru）作為阻擋層的銅低k/超低k互聯結構中。
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