南車時代：大功率半導體器件IGBT產業化建設項目
時間：2014-01-08
來源：網絡轉載
導語：項目建成后可滿足電動汽車、軌道交通、智能電網等領域對大功率IGBT的巨大市場需求，改變此類產品依賴進口的不利局面，并可推動節能減排。
株洲南車時代電氣股份有限公司即將在高交會上帶來的大功率半導體器件IGBT產業化建設項目卻是節能減排的大手筆。株洲南車時代電氣股份有限公司目前已擁有4英寸器件生產基地、6英寸器件生產基地和英國林肯生產基地，年產能100萬只，銷售規模達6億元人民幣，并成功進入高壓直流輸電(HVDC)、機車牽引與傳動、高壓無功功率補償(SVC)、大電流電源、電機軟啟動、風力發電、工業傳動、電機勵磁、感應加熱等領域。
大功率半導體器件IGBT產業化建設項目是該公司的一個大手筆，該公司擬15億元在軌道交通千億產業園建設一條年產12萬元8英寸IGBT芯片生產線，同時具備年產100萬只大功率IGBT模塊的封裝和測試能力。該項目已于2010年6月啟動，項目建成后可滿足電動汽車、軌道交通、智能電網等領域對大功率IGBT的巨大市場需求，改變此類產品依賴進口的不利局面，并可推動節能減排。
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