近二十年來碳化硅半導體材料開始被行內人士重視，因為它有許多優勢。早在上世記50年代，在黃昆、謝希德合著的“半導體物理學”著作中已介紹了半導體碳化硅。最早進入制作半導體器件的材料是鍺，隨后，硅和三、五族半導體材料登上了歷史舞臺。直至如今電力電子領域的晶閘管和IGBT等高壓、大電流器件仍是使用硅單晶材料。由于碳化硅器件設計理論有所突破，人們對更高性能的大功率半導體器件的期望也越來越迫切。

據權威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場，預計到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發展將更多地集中到SiC和GaN的技術創新上。

SiC器件因為成熟度和可靠性更佳，發展腳步將領先GaN。SiC功率器件增長動力主要來自可再生能源領域，在太陽能市場占有率將達32%。在軌道交通領域，SiC和GaN的應用相當，預計到2020年，兩者市場份額分別為16%和15%。在IT和電子設備市場，GaN較SiC更有優勢，估計2020年市場份額可達14%。

GaN剛剛起步但后勁十足，GaN是一種寬帶隙材料，可提供類似SiC的性能特色，但有更大的成本降低潛力。這一性價比優勢是有可能實現的，因為GaN功率器件可在硅襯底上生長出來，與SiC襯底相比，它的成本更低。

由于全球經濟的不景氣和SiC的價格下降幅度并不如預期的大，SiC和GaN功率器件需求市場近幾年并沒有出現強烈增長。與之相反，業界對GaN技術的信心開始增長，因為更多的半導體供應商宣布GaN的開發計劃。

隨著國家相關政策的完善及戰略性新興產業的崛起，電力電子技術在風能、太陽能、熱泵、水電、生物質能、綠色建筑、新能源裝備、電動汽車等先進制造業等重要領域都將發揮重要作用，而這其中的許多領域都在“十二五”規劃中具備萬億以上的市場規模，其必然帶動電力電子技術及產業高速發展，迎來重大的發展機遇。

據悉，PEC電力電子蘇州站(10月25-26日，蘇州會議中心)，將迎來業界內知名企業及行業組織專家，共同探討SiC和GaN在未來的發展趨勢，以及能否真正意義上為國民經濟帶來質的飛躍等話題。如CREE科銳將隆重出席會議，并為觀眾帶來碳化硅器件的發展與應用的精彩演講，來自中國科學院州納米研究所的專家，將為業內分享GaN電力電子器件的相關知識。