目前，在IGBT晶圓、封裝技術(shù)及低電壓應(yīng)用領(lǐng)域迭有突破之下，今年市場可望逐漸恢復(fù)成長力道。受半導(dǎo)體器件市場增長的影響，已驗收02專項安排的集成電路設(shè)備，2013年產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程將進(jìn)一步加快。預(yù)計IGBT市場在2013年可望有些復(fù)蘇，2014年將小幅放緩，2015年成長則將趨于穩(wěn)定。
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。
目前，在IGBT晶圓、封裝技術(shù)及低電壓應(yīng)用領(lǐng)域迭有突破之下，今年市場可望逐漸恢復(fù)成長力道。在2011年，包括風(fēng)力渦輪發(fā)電機、再生能源市場成長放緩，影響IGBT需求，而且相關(guān)元件和模組均有庫存，交貨期又長，因而也連帶沖擊2012年的IGBT市場。不過，這一波市場不景氣應(yīng)不致擴大影響到2013年IGBT的市場規(guī)模，因目前全球經(jīng)濟情況已較為樂觀。
據(jù)YoleDeveloppement統(tǒng)計，2011年IGBT分離式元件及模組總銷售額為35億美元，但未來幾年產(chǎn)值成長可能有波動，將呈現(xiàn)鋸齒狀的變化。如果全球景氣回升并持穩(wěn)的話，2013年可望有些復(fù)蘇，2014年將小幅放緩，2015年成長則將趨于穩(wěn)定。
與此同時，受半導(dǎo)體器件市場增長的影響，已驗收02專項安排的集成電路設(shè)備，2013年產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程將進(jìn)一步加快，項目完成的成果也將迅速推廣到LED和IGBT等新興的分立器件市場，這將成為2013年我國半導(dǎo)體設(shè)備市場新的增長點。日前，在IGBT新品的研發(fā)上，國內(nèi)業(yè)已取得突破。全球電流等級最高的1700V/3600AIGBT模塊產(chǎn)品在山西下線，填補了國內(nèi)大電流領(lǐng)域的空白。
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