三菱電機株式會社將自9月起陸續發售“X系列HVIGBT※1模塊”8個產品（包含電壓等級3．3kV、4．5kV、和6．5kV）。此次發售的產品是功率半導體模塊的新產品，主要用于需要高耐壓、大電流、高可靠性的鐵路牽引、電力傳輸、大型工業設備等領域。本產品將在“TECHNO－FRONTIER2017－MOTORTECHJAPAN－”（4月19－21日本幕張舉行）“PCIM※1Europe2017”（5月16－18日于德國紐倫堡舉行）以及“PCIM※1Asia2017”（6月27－29日于中國上海舉行）上展出。
※1HighVoltageInsulatedGateBipolarTransistor：高壓絕緣柵型雙極晶體管
新產品的特點
1．實現行業頂級水平的額定電流，為逆變器的大容量化做貢獻
·在“X系列”中增加3．3kV級（1200A／1800A）、4．5kV級（900A／1350A／1500A）、6．5kV級（600A／900A）共計8個產品
·3．3kV、4．5kV級實現了行業頂級水平※2的額定電流1800A、1500A，可實現更大容量的逆變器
※2截至2017年4月5日，根據本公司的調查
2．應用第7代IGBT和RFC二極管，為逆變器的小型化做貢獻
?采用三菱CSTBTTM※3結構的第7代IGBT和RFC二極管※4硅片技術，與以往產品相比※5，功率損耗降低
約20％
·與具有相同耐壓和額定電流的以往產品※5相比，外形尺寸大約縮小33％，可為逆變器的小型化做貢獻
·全系列產品實現了150℃的工作保證溫度，因此可以簡化逆變器冷卻系統設計，有利于逆變器的小型化
※3載流子存儲式溝槽柵型雙極晶體管
※4RelaxedFieldofCathode：本公司獨有二極管，提高了陰極側電子遷移率
※5X系列CM1200HC－66X與H系列CM1200HC－66H的比較
3．通過優化封裝結構，為提高逆變器的可靠性做貢獻
·通過優化封裝內部結構，提高散熱性、耐濕性、阻燃性，延長產品壽命
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