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TriQuint推出四款新放大器,采用創新封裝來簡化組裝

時間:2012-12-21

來源:網絡轉載

導語:TriQuint半導體推出四款采用新封裝的砷化鎵(GaAs) pHEMT 射頻功率放大器模塊

中國 上海 - 2012年12月20 日 - 技術創新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司(納斯達克代碼:TQNT),推出四款采用新封裝的砷化鎵(GaAs) pHEMT 射頻功率放大器模塊,提供高輸出功率、增益及效率,覆蓋頻率范圍為6-38 GHz。其中每款新放大器的封裝都更方便進行組裝,包括支持多層印刷電路板布局的設計。TriQuint新的放大器是用于點對點微波無線電和極小口徑終端 (VSAT) 等商業應用的理想選擇。

這四款新放大器包括:TGA2502-GSG(3.6W [CW],13-16 GHz,適用于VSAT系統);TGA2575-TS(3W [CW],32-38 GHz,適用于通信系統);TGA2704-SM(7W [CW],9-11 GHz,適用于微波無線電)以及TGA2710-SM(7W [CW],9.5-12 GHz,亦適用于微波無線電)。

TGA2575-TS是TriQuint的Die-on-Tab產品系列的最新成員,它令制造商更易于通過將半導體FET或MMIC放大器放在均熱器上來處置晶粒級器件和組裝元件。通過真空回流焊工藝建立晶粒和基礎之間的焊接。這些焊接幾乎無空隙且熱穩定性很高。TGA2575-TS和所有die-on-tab產品都在工廠進行嚴格檢驗,來提供全面質量保證和更高的有效產率。

技術規格:新封裝砷化鎵pHEMT解決方案

TGA2502-GSG

13-16 GHz GaAs pHEMT射頻功率放大器:2.8W;20dB大信號增益;25dB小信號增益;效率為25%;在1.3A為7V;14引線法蘭貼裝封裝。

TGA2575-TS

32-38 GHz GaAs pHEMT射頻功率放大器:3W;19dB小信號增益;功率附加效率為22%;在2.1A為6V。TGA2575晶粒貼裝在一個8.92x5.31mm的均熱器上。

TGA2704-SM

9-11 GHz GaAs pHEMT射頻功率放大器:7W;19dB大信號增益;22dB 小信號增益;功率附加效率為40%;在1.05A為9V;7x7x1.27mm無鉛表面貼裝封裝。

TGA2710-SM

9.5-12 GHz GaAs pHEMT射頻功率放大器:7W;19dB大信號增益;20dB小信號增益;功率附加效率為36%;在1.05A為9V;7x7x1.27mm無鉛表面貼裝封裝。

聯系產品營銷獲取樣片和評估板,或訪問TriQuint的銷售頁面獲取本地支持。

關于TriQuint

成立于1985年的TriQuint半導體公司(納斯達克代碼:TQNT)是提供世界領先水平的通信、國防和航空航天公司創新射頻解決方案與代工服務的全球領先供應商。世界各地的人們和組織都需要實時、不間斷的通信聯系;TriQuint產品可幫助降低用于提供關鍵語音、數據和視頻通信的互聯移動設備與網絡的成本和提高它們的性能。憑借業內最廣泛的技術系列、公認的研發領先地位以及在大規模制造領域的專業知識,TriQuint生產基于砷化鎵 (GaAs)、氮化鎵 (GaN)、聲表面波 (SAW) 和體聲波 (BAW) 技術的標準及定制產品。該公司在美國擁有多家已通過ISO9001認證的制造工廠,在哥斯達黎加擁有生產中心,在北美地區和德國擁有設計中心。欲知更多信息請訪問http://cn.triquint.com/

前瞻性聲明

本TriQuint半導體公司(納斯達克股票代碼:TQNT)新聞稿包含依據1995年《私人證券訴訟改革法》的“安全港”條款所做的前瞻性聲明。 讀者須知前瞻性聲明包含風險與不確定性。本新聞稿中所做的警示性聲明適用于所有相關聲明,不論它們出現在什么地方。包含‘領導’、‘高性能’等字詞或類似表述的聲明應被視為包含不確定性和屬于前瞻性聲明。有許多因素都會影響TriQuint的經營結果,并可能造成其未來實際結果 與本新聞稿中或者由TriQuint或代表TriQuint所做的任何其他前瞻性聲明中所述的任何結果出現實質性出入,這些因素包括但不限于:與客戶對我們的產品與技術的接受程度及需求的不可預測性和變動性有關的因素,我們生產工廠的能力和我們的供應商在滿足我們的需求方面的因素,我們生產工廠的能力和我們的供應商以足以保持盈利的產量來生產產品的因素,以及TriQuint在美國證券與交易委員會備案的最新10-Q報告中闡述的其他 “風險因素”。本報告和其他報告可在美國證券交易委員會網站 (www.sec.gov) 上找到。本新聞稿的讀者應當理解,這些和其他風險因素可能造成實際結果與前瞻性聲明中明示/暗示的期望出現實質性出入。

 

 

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