這些集成的低噪聲放大器為高線性度，提供了非常低的噪聲系數以及高輸出，并包括用于時分雙工(TDD)和頻域雙工(FDD)應用的自動關閉功能。作為在基站、塔頂放大器和中繼器的第一級低噪聲放大器，他們都是優秀的選擇。
技術細節
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700 -1000 MHz的GaAs pHEMT低噪聲放大器： 0.5 dB的噪聲系數； 38.8 dB的OIP3； 21 dBm的P1dB射頻輸出功率； 單正電源 (在57 mA為4.35 V)。 其雙放大器結構使操作平衡，它提供了可調節的偏置 (漏極電流和電壓) 和用于FDD和TDD操作的集成偏置關閉能力。采用4 x 4 mm QFN封裝。 |
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1500 - 2300 MHz的GaAs pHEMT低噪聲放大器： 0.62 dB的噪聲系數； 38.8 dB的OIP3； 21 dBm的P1dB射頻輸出功率； 單正電源 (在57 mA為4.4 V)。 其雙放大器結構使操作平衡，它提供了可調節的偏置 (漏極電流和電壓) 和用于FDD和TDD操作的集成偏置關閉能力。采用4 x 4 mm QFN封裝。 |
最新TQP3M9039和TQP3M9040目前已投產，可提供樣片。欲了解更多有關該公司的基站產品的信息，請于2月28日至3月2日訪問TriQuint公司在IICChina的展臺2F19。如欲聯系TriQuint的分銷商、轉銷商或者本地和現場銷售代表，請訪問http://cn.triquint.com/sales。
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成立于1985年的TriQuint半導體公司（納斯達克代碼：TQNT）是為全球頂尖通信、國防和航空航天公司提供創新射頻解決方案與代工服務的全球領先企業。全世界的人們和組織都需要實時、不間斷的通信聯系；TriQuint的產品可幫助降低用于提供關鍵語音、數據和視頻通信的互聯移動設備與網絡的成本和提高它們的性能。憑借業內最廣泛的技術系列、公認的研發領先地位以及在大規模制造領域的專業知識，TriQuint生產基于砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、聲表面波(SAW)和體聲波（BAW）技術的標準及定制產品。該公司在美國擁有多家已通過ISO9001認證的制造工廠，在哥斯達黎加擁有生產中心，在北美地區和德國擁有設計中心。欲知更多信息請訪問http://cn.triquint.com。
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