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IGBT等核心器件成為低壓變頻器研發籌碼

時間：2012-09-13

來源：網絡轉載

導語：核心電子器件的發展，不僅為變頻器帶來了更廣闊的應用領域，同時也使得如IGBT等核心電子器件市場迅速發展起來。

變頻器市場中，高壓變頻器一直占據重要位置，而低壓變頻器則增長緩慢，但從2011年起，低壓變頻器一改低迷態勢，以30%加速發展的高姿態呈現出供不應求的局面。我國變頻調速技術發展與發達國家相比還不夠成熟，中高端變頻器市場目前被國外品牌所占據。而我國變頻器發展未來爭奪的主戰場將落到中低壓變頻器領域。變頻器行業的發展，也對變頻器核心電子器件提出了的新的要求和挑戰。從原來的SCR、BJT、SITH、MGT以及MCT等，變頻器的核心電子器件逐漸發展為IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、HVIGBT(耐高壓絕緣柵雙極型晶閘管)等。核心電子器件的發展，不僅為變頻器帶來了更廣闊的應用領域，同時也使得如IGBT等核心電子器件市場迅速發展起來。

未來變頻器企業想要在市場中占據領先地位，就必須具備IGBT等核心器件的研制能力才能夠真正獲得發展和競爭力。

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