導語:核心電子器件的發展,不僅為變頻器帶來了更廣闊的應用領域,同時也使得如IGBT等核心電子器件市場迅速發展起來。
變頻器市場中,高壓變頻器一直占據重要位置,而低壓變頻器則增長緩慢,但從2011年起,低壓變頻器一改低迷態勢,以30%加速發展的高姿態呈現出供不應求的局面。我國變頻調速技術發展與發達國家相比還不夠成熟,中高端變頻器市場目前被國外品牌所占據。而我國變頻器發展未來爭奪的主戰場將落到中低壓變頻器領域。變頻器行業的發展,也對變頻器核心電子器件提出了的新的要求和挑戰。從原來的SCR、BJT、SITH、MGT以及MCT等,變頻器的核心電子器件逐漸發展為IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、HVIGBT(耐高壓絕緣柵雙極型晶閘管)等。核心電子器件的發展,不僅為變頻器帶來了更廣闊的應用領域,同時也使得如IGBT等核心電子器件市場迅速發展起來。
未來變頻器企業想要在市場中占據領先地位,就必須具備IGBT等核心器件的研制能力才能夠真正獲得發展和競爭力。
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