簡介：賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊，該模塊目前也可提供三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

簡介：賓夕法尼亞、MALVERN—2012年5月3日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。

簡介：奧托尼克斯|接插型中繼線|CJ 系列

簡介：2012年4月26日—全球高性能模擬混合信號半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司今天宣布，推出全球最低成本微型投影儀系統(tǒng)Pico-qHD™，以及已達(dá)到生產(chǎn)就緒階段的業(yè)內(nèi)最小的基于LED的LCoS微型投影儀解決方案。

簡介：1200V分壓RESURF※2構(gòu)造，將最大漏電流※3控制在10μA以下，可適用于AC400V級變頻器。

簡介：Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出采用GSIB-5S封裝的新款單相直排橋式整流器——-LVB1560和LVB2560。

簡介：推出12款采用3種功率封裝、具有10A～40A額定電流范圍的新型45V器件——-V（B,F）T1045BP、V（B,F）T2045BP、V（B,F）T3045BP和V（B,F）T4045BP，擴(kuò)充其TMBS®TrenchMOS勢壘肖特基整流器

簡介：應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體（ONSemiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN）擴(kuò)充恒流穩(wěn)流器（CCR）陣容，推出NSI50350A。

簡介：森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN）推出最新的高速數(shù)據(jù)線路用瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。

簡介：凌力爾特公司（LinearTechnologyCorporation

簡介：凌力爾特公司（LinearTechnologyCorporation）推出新的高可靠性（MP級）版本LT3512，該器件是一款高壓隔離型單片反激式穩(wěn)壓器。

簡介：凌力爾特公司推出高準(zhǔn)確度溫度至電壓轉(zhuǎn)換器 LTC2997，該器件具面向 2.5V 至 5.5V 系統(tǒng)的內(nèi)置串聯(lián)電阻消除功能。將遠(yuǎn)端或內(nèi)部二極管的溫度轉(zhuǎn)換成模擬電壓

簡介：凌力爾特公司（LinearTechnologyCorporation）推出高效率、單片同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器LTC3617。

簡介：日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，發(fā)布34款采用6種功率封裝的新型600VFREDPtHypeRFast和Ultrafast整流器。

簡介：凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高效率、雙通道單片同步降壓型穩(wěn)壓器 LTC3634，該器件為 DDR1、DDR2 和 DDR3 SDRAM 控制器提供電源和總線終端軌。

簡介：國際整流器公司（InternationalRectifier，簡稱IR）擴(kuò)展其封裝系列，推出PQFN4mmx4mm封裝。

簡介：賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊，該模塊目前也可提供三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

簡介：德州儀器 （TI） 宣布新推出的 SuperSpeed USB （USB 3.0） 四端口可擴(kuò)展主機(jī)控制器 （xHCI） 通過 USB 實(shí)施者論壇 （USB-IF） 認(rèn)證，由此，TI成為業(yè)界首家獲得該認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。

簡介：SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET®技術(shù)，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

簡介：104 PHL-ST電容器在在+105℃下壽命長達(dá)5000小時，紋波電流達(dá)34.8A，具有從6800μF、450V至33000μF、200V的高容值/電壓組合