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德州儀器新工藝使每個硅片芯片產出量翻番

時間：2006-06-14

來源：中國傳動網

導語：

日前，德州儀器 (TI) 發布了45納米(nm)半導體制造工藝的細節，該工藝采用濕法光刻技術，可使每個硅片的芯片產出數量提高一倍，從而提高了工藝性能并降低了功耗。通過采用多種專有技術，TI將集成數百萬晶體管的片上系統處理器的功能提升到新的水平，使性能提高30%，并同時降低40%的功耗。 　　TI 高級副總裁兼首席技術官 Hans Stork 博士指出：“例如在手機處理器與 DSP系統方面，TI憑借在芯片制造領域的實力將推出45納米的低成本工藝技術，并同時兼顧了性能、功耗及晶體管密度等方面的問題。這使客戶能盡早推出速度更快、體積更小、功耗更低的產品，TI不斷通過高良率晶圓推出數百萬芯片，在業界始終處于領先地位。” 　　TI預計，45 納米工藝與 SoC 集成功能將使消費者體驗高達 30% 的設備速度提升，這意味著每秒更多視頻幀，從而實現更佳的移動電話用戶體驗。此外，無線用戶將可以享受到同時運行多個應用的好處，如運行3D游戲的同時與游戲伙伴們進行視頻交流，還可以在后臺收發電子郵件。其它預測顯示，TI 45納米SoC將使功耗降低40%，從而獲得更長的視頻播放時間，并把手機待機時間延長高達 30%。
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