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格芯、英特爾、三星代工、臺積電和德州儀器正在美國建立新的半導體生產設施

時間:2022-10-17

來源:潛力變實力

導語:根據半導體工業協會 (SIA) 的數據,美國在全球半導體制造能力中的份額從 1990 年的 37% 下降到 2021 年的 12%,但全球銷售的芯片中約有47%是在美國設計的,這種差距對美國國家安全和經濟帶來了重大風險,這就是為什么業內人士和政界人士最近都開始呼吁在美國建立半導體工廠。

       10月5日訊當地時間周二(10月4日),美國最大內存芯片制造商美光科技在官網宣布,公司計劃在紐約州中部打造一個巨型晶圓廠,以促進在美存儲芯片的生產。

  聲明稱,在未來20年,美光計劃向工廠總共投資高達1000億美元,這將成為紐約州歷史上最大的私人投資,能為當地創造約50,000個就業機會。在項目周期內,紐約州還將為工廠提供55億美元的資金激勵,支持工廠招聘和資本投資。

  美光將向一期項目投資200億美元,在克萊鎮新建一個巨型內存工廠,2023年開始場地準備工作,2024年開始施工,2025年實現量產,并在2026年-2030年間根據行業需求逐步增產。

  聲明指出,這座工廠最終可能包含四個600,000平方英尺的潔凈室——半導體工業生產廠房,總計面積能達到240萬平方英尺,規模接近40個橄欖球場的大小,創美國半導體行業歷史之最。

  美光透露,紐約工廠將采用最先進的半導體制造工藝和工具,包括極紫外線(EUV) 光刻技術,以鞏固公司在DRAM行業中的領先地位。

  在2031年-2040年期間,美光將致力于推動DRAM在美產量的增長,目標是占全球產量的40%以上。

  在聲明中,美光還提到了美國政府不久前簽署的《芯片與科學法案》(Chips and Science Act)。公司首席執行官桑杰·梅羅特拉表示,“毫無疑問,如果沒有這項法案,我們就不會有今天。”

  目前這項法案已經促成了包含格芯、SK海力士、環球晶圓等多家芯片公司在美設廠的計劃。

  有消息稱,英特爾傳出要在美國俄亥俄州首府哥倫布地區,打造一座巨型晶圓廠,為有史以來規模最大的開發項目,政府官員謝絕置評。

  但據地方媒體稱,一家晶片廠在內的大規模經濟開發項目可能進入該區的謠言,幾個月來甚囂塵上。消息人士稱,英特爾去年12月通知俄亥俄州長Mike DeWine,其提案已被接納。

  根據半導體工業協會 (SIA) 的數據,美國在全球半導體制造能力中的份額從 1990 年的 37% 下降到 2021 年的 12%,但全球銷售的芯片中約有47%是在美國設計的,這種差距對美國國家安全和經濟帶來了重大風險,這就是為什么業內人士和政界人士最近都開始呼吁在美國建立半導體工廠。

  他們的呼聲已被聽到,今天五家主要芯片制造商——格芯、英特爾、三星代工、臺積電和德州儀器正在美國建立新的半導體生產設施。這些努力將受到新一輪融資的支持,因為美國通過了一份法案,計劃為新的美國芯片廠注入 520 億美元,并提供新的稅收優惠。這些資金將在未來幾年刺激一波新的投資,這是急需的。

  中國臺灣、韓國和新加坡等國家和地區在 1990 年代和 2000 年代成為邏輯和存儲芯片的主要生產商有很多原因。除了這些地方的勞動力成本較低外,當地政府及其地方當局還為芯片制造商提供了各種激勵措施,這就是為什么在亞洲建造晶圓廠比在美國和歐洲便宜得多的原因。

  紐約和Saratoga County很早就意識到了這一點,并在 2006 年為 AMD 制定了現在被稱為 GlobalFoundries Fab 8 的計劃時,向 AMD 提供了重大激勵措施。然而,其他州和聯邦政府并沒有那么靈活,這就是部署全新的晶圓廠在美國變得罕見的原因。事實上,英特爾甚至調整了產能戰略,最終將 Fab 42 設備的搬入推遲了 5 年,將其上線推遲了 6 年。

  雖然我們不能說美國的半導體生產行業近年來沒有增加產能——英特爾和 GlobalFoundries 都在 2010 年代后期逐漸擴大了產能——但全新的領先晶圓廠尚未部署在美國。但這即將改變。以下是這些變化發生的方式和地點。

  英特爾:在美國的芯片設施上花費超過 400 億美元

  英特爾無疑是美國最古老的芯片制造商之一,也是世界上最大的芯片制造商之一。它也恰好是唯一一家在美國投資超過 400 億美元新建半導體晶圓廠的公司,與一些制定長期計劃并選擇新晶圓廠的行業同行不同,英特爾正在向四家美國晶圓廠投資數百億美元,當中的一些長三年后上線。

  目前,英特爾正在建設四個芯片生產工廠,兩個在亞利桑那州,兩個在俄亥俄州,以及一個在新墨西哥州的先進封裝工廠。

  亞利桑那

  英特爾于 2021 年 9 月下旬宣布,公司在亞利桑那州錢德勒附近的 Ocotillo 園區的Fab 52 和 Fab 62 破土動工,這些大樓的建設工作正在順利進行。根據計劃,這些晶圓廠旨在為英特爾及其英特爾代工服務客戶使用英特爾的Intel 20A 制造技術生產芯片。

  英特爾的 20A 生產節點將是該公司第一個采用 RibbonFET 柵極環繞場效應晶體管 (GAAFET) 和 PowerVia 背面供電的工藝。這些根本性的改進有望帶來顯著的功率、性能和面積 (PPA) 改進。

  當硅晶柱切成薄片后的晶圓直徑不斷增大后,大直徑的晶圓可以再被切成更多片的裸片(Die),進而提高晶圓產線產能。這促使晶圓廠需要不斷地進行迭代更新,并不是簡單的數字游戲,由于越粗的硅晶柱越難拉出好品質的晶圓,12 吋晶圓廠工藝上會比 8 吋或者 6 吋先進許多,更別說 18 吋了。

  但這是大趨勢,和摩爾定律一起推動 IC 制造向前發展。

  過去的十年中,隨著 IC 制造商整合或過渡到 fab-lite 或 fabless 業務模式,IC 行業一直在削減其舊產能。

  IC Insights 在其最新發布的《2020-2024 年全球晶圓產能》報告中指出,由于過往十年中期(2015/2016 年)的并購活動激增,且越來越多的公司使用 20nm 以下先進制程技術生產 IC 器件,供應商已經淘汰了效率低下的晶圓廠。報告還指出,自 2009 年以來,全球半導體制造商已經關閉或改造了 100 座晶圓廠。英特爾首席執行官帕特·基辛格當地時間周三在美國消費者新聞與商業頻道(CNBC)的座談會上表示,公司將在年底前宣布在美國或歐洲建另一座“巨型晶圓廠”的計劃。據悉,英特爾正為提高芯片產能大舉投資,包括斥資200億美元在亞利桑那州建設一家芯片生產廠。他預計半導體行業將迎來10個增長的“好年景”,因為世界正變得越來越數字化,所有數字化的東西都需要半導體。另外,近日有媒體傳出臺積電有意在日本建設晶圓廠和封測廠。

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