將會提前推出采用28納米工藝制造的芯片。分析機構相信聯華電子將能夠在第二季度或者第三季度采用UMC28LPT技術為德州儀器生產OMAP5系統級芯片(SoC)。芯片代工廠聯華期待28納米生產工藝能夠為2012財年帶來5%左右的利潤。
聯電CEO孫世偉于本周舉行的第四季財務電話會議中說："由于現階段28納米技術與客戶進展順利以及需求強烈，我們相信聯華電子一定會隨著28納米生產工藝的量產而獲得豐厚的收益。我們2012財年的目標是：28納米芯片的利潤能夠占到公司總利潤額的5%。"
來自NomuraEquitiesResearch市場調研機構的觀察家認為，聯電能夠在2012年第二到第三季度間為德州儀器生產少量的TIOMAP5芯片。這要比他們預期早2到3個季度。（據EETimes報道，有預測聯電至少要在2012年末才能生產28納米工藝芯片。）
值得注意的是，聯電對于使用28納米生產工藝采取了保守的方法。新生產工藝中有三分之二產品會使用傳統的多晶硅柵+氮氧化硅絕緣層（Poly/SiON）的柵極結構。剩下的三分之一才會采用先進的金屬柵極+高介電常數絕緣層（High-k）柵結構（HKMG）（將使用后柵極技術。）。整體而言，聯華的28納米工藝主要是針對應用芯片、手機基帶、WLAN、平板、FPGA以及網絡芯片。
聯華電子認為公司采用保守的策略（28LPT和28HLP）能夠使其為現客戶提供一種簡易從40納米65納米工藝過渡方案。而采用28納米HKMG技術則可以讓客戶在成本不大幅度提高成本的情況下果斷的采用新的制程從而提高未來產品的性能。聯電預計28納米工藝的生命周期不會太短。
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