我們注意到目前全球風力和太陽能光伏發電的發展速度相當快，中國也在快步跟上。在中國風電市場，從600KW到1.5MW、2.0MW風機只花了短短的數年時間，目前2.5MW、3.6MW和5MW風機也正在開發中。太陽能光伏發電的應用在中國還處于起步階段，主要以太陽能電廠為主，采用集中式逆變器并網發電。2012年，隨著政策鼓勵以及人們節能環保意識提高的推動，相信這兩個市場將繼續保持飛速發展。

      在未來，從風電來看，提高單機功率是個趨勢，尤其離岸和潮汐帶的風力資源決定需要大功率風機，以提高資源利用率。這就需要更大電流、更高電壓的功率半導體器件，主要是高壓大電流的IGBT模塊和功率組件Stack。

      由于風電是一種極其不穩定的能源，作為風能的變換和控制關鍵器件，IGBT模塊會承受功率和溫度的頻繁變化，這會使得IGBT壽命縮短。在IEC60747定義了相關壽命參數，即功率周次和溫度周次，這是IGBT模塊的重要可靠性指標。

      對于太陽能光伏發電，功率器件的效率更重要，它們也在不斷發展中，如構槽柵場終止技術FieldStopIGBT、HighSpeed3IGBT、CoolMOS、碳化硅二極管SiC在高能效的太陽能逆變器有出色的表現。

      對于風電和太陽能，控制器、變流器的壽命，以及平均無故障時間很重要，這是由器件和系統設計決定的，一般的平均設計壽命要求在20年以上。風電和太陽能系統對環境適應性要求高，如極端氣溫條件、沿海地帶、高海拔地區等。當然轉換效率也是十分重要的，直接關系到電廠的盈利。

      電動汽車、太陽能、風能等新能源行業要求系統的設計經濟、高效、可靠。作為全球功率半導體的領軍企業，英飛凌的CoolMOS、OptiMOS、IGBT和碳化硅等功率器件，多年來因其穩定、突出的能效而備受電力電子行業推崇，將迎合上述系統要求而大顯身手。

      面對蓬勃發展的中國新能源市場，英飛凌將投入更多的資源為中國新能源市場服務：推出更優秀的產品，例如CoolMOSC7系列和IGBTHighSpeed3系列等;組建更專業高效的本地化服務團隊;并開展與國內一流高校和企業的項目合作及技術交流等。

      為了應對中國電動汽車、太陽能、風能等新能源行業的迅猛發展，英飛凌做好了充分的準備，并在以下三個技術領域持續開展創新性的研究：

      一是器件技術的創新。英飛凌HighSpeed3IGBT引領人們對分立IGBT有了新認識，這種技術及其后續研究將對降低IGBT的導通和關斷損耗持續進行突破創新，從而使新能源的系統設計更經濟、高效。同時，我們正持續改進硅技術，為業界提供新一代CoolMOS和OptiMOS。此外，寬帶隙技術也是我們的研發重點，其中的碳化硅材料，已在英飛凌的碳化硅二極管產品上展示出令人鼓舞的效果，即將推出的碳化硅JFET也將進一步開創功率半導體的新紀元。

      二是硅片制造工藝技術的創新。英飛凌的IGBT在70微米的晶圓上制造而成，其厚度僅相當于人類的頭發絲，這種工藝技術有效改善了IGBT的導通壓降和器件的熱特性。英飛凌正在把300毫米直徑的晶圓技術應用于分立功率器件，這將顯著提升我們的產能以支持目前業界的巨大需求，同時進一步提高我們產品的性價比。

      三是封裝技術的創新。先進的封裝技術可以進一步支持我們的器件運用于實際應用。英飛凌把CoolMOS裝進超薄的“ThinPAK8×8”封裝里，這使得我們最新的芯片技術可以在實際應用中更為有效地發揮優勢。

      除了技術的創新，英飛凌還針對目標應用提供全面的解決方案。比如，基于對汽車電子的深厚積累，我們針對新能源電動汽車開發了3.6kW車載充電器，效率高達95%，體積只有3.6升，重量不足3.5kg，是目前業界最高效、最高功率密度的解決方案。