2011半導(dǎo)體資本支出將創(chuàng)最高紀(jì)錄

時(shí)間:2011-09-09

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導(dǎo)語:根據(jù)國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)的報(bào)告顯示,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本支出將在2011年增加到411億美元的最高紀(jì)錄

  根據(jù)國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)的報(bào)告顯示,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本支出將在2011年增加到411億美元的最高紀(jì)錄;SEMI并預(yù)期整體半導(dǎo)體產(chǎn)能也將放緩。

  SEMI預(yù)計(jì)2011年將有223座廠房新增設(shè)備投資,其中有77項(xiàng)是專門針對(duì)LED設(shè)備投資的計(jì)劃。明年,預(yù)計(jì)還將有190座廠房將展開或繼續(xù)裝機(jī),其中有72項(xiàng)是LED設(shè)備相關(guān)投資計(jì)劃。

  2011年設(shè)備支出最高的地區(qū)是美國,約占100億美元;其次是臺(tái)灣,約有90億美元的投資。美洲地區(qū)在2002年時(shí)也曾位居設(shè)備投資支出之冠。

  盡管英特爾(Intel)公司的設(shè)備投資支出最高,但美國成為設(shè)備支出之冠的另一項(xiàng)關(guān)鍵因素在于三星公司(Samsung)于美國德州打造一座造價(jià)25~30億美元的“S2產(chǎn)線”。根據(jù)SEMI的全球晶圓廠預(yù)測(cè)(WorldFabForecast)報(bào)告,韓國將在2012年時(shí)超越美國,以超過100億美元晶圓廠設(shè)備支出的投資位居榜首,其次是臺(tái)灣約92億美元的設(shè)備支出。

  “近幾個(gè)月來的經(jīng)濟(jì)發(fā)展,使得消費(fèi)者信心指數(shù)與支出下降,連帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也受這一低迷景氣拖累。”SEMI產(chǎn)業(yè)研究與統(tǒng)計(jì)部門的晶圓廠信息資深分析師ChristianGregorDieseldorff在一份報(bào)告中表示。

  展望未來,業(yè)界可能無法抵擋快速增加的需求,例如在NAND閃存市場(chǎng)。SEMI表示,讓一座晶圓廠從破土動(dòng)工到實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)約需要一年半的時(shí)間,那么,為了要在2012年或2013年看到產(chǎn)能的增加,建造新廠的計(jì)劃必須從現(xiàn)在開始!

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