作為半導體功率模塊專業供應商,Vincotech發布市場上第一款集成SemiSouth公司常開碳化硅(SiC)JFETs芯片的光伏逆變器專用模塊。模塊使用了混合電壓型中心點鉗位拓撲結構(MNPC)和分離型雙端子輸出,取得了超高的輸出效率。
Vincotech發布了世界上第一款內部集成SemiSouth常開SiCJFETs芯片的光伏逆變器專用功率模塊。新產品包含一個1200V的雙升壓電路模塊(booster)和一個1200VMNPC拓撲結構的逆變模塊,封裝為12mm高的flow0。模塊支持最高輸出30kW三相光伏逆變器。
關于升壓模塊flowBOOST0-10-PZ12B2A025FN-M330L08Y的主要特點為:
雙升壓拓撲結構
SemiSouth常開溝漕型碳化硅JFET
SemiSouth碳化硅肖特基二極管
由于沒有拖尾電流,適合超高開關速度
模塊內部集成濾波電容,低寄生電感設計
免焊接管腳技術
緊湊的12mm高flow0封裝
關于逆變模塊flowMNPC0-10-PZ12NMA025FN-M340F08Y的主要特點為:
MNPC拓撲結構(每個模塊為1相)
SemiSouth常開溝漕型碳化硅JFET
由于沒有拖尾電流,適合超高開關速度
分離型輸出結構,不會有橋臂直通風險
模塊內部集成濾波電容,低寄生電感設計
免焊接管腳技術
緊湊的12mm高flow0封裝
兩款產品都已經量產,樣品需求可以聯系Vincotech當地銷售。想知道更多Vincotech產品信息,請訪問公司官網:http://www.vincotech.com/en/products/power/products-by-topology.php
Vincotech是注冊商標。
SemiSouth是注冊商標。
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