經(jīng)歷了低谷與震蕩的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終于重拾上升勢(shì)頭，2010年增長(zhǎng)高達(dá)30.6%。新市場(chǎng)與新應(yīng)用功不可沒，技術(shù)升級(jí)已見曙光。2011年3月13-14日，由SEMI、ECS和中國(guó)高科技專家組共同組織的中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)(CSTIC)在上海舉行。
　　作為中國(guó)規(guī)模最大、水平最高的半導(dǎo)體會(huì)議，CSTIC匯集了產(chǎn)業(yè)內(nèi)的精英、專家、學(xué)者、技術(shù)人員，內(nèi)容涵蓋新材料、各種單項(xiàng)工藝、新型器件與集成技術(shù)、封裝與測(cè)試、量測(cè)等，并將光伏與LED包含在內(nèi)，最大范圍地覆蓋了產(chǎn)業(yè)鏈。
　　SEMI全球副總裁/SEMI中國(guó)總裁陸郝安博士在開幕致辭中表示：“隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)在2010年強(qiáng)力復(fù)蘇。中國(guó)的半導(dǎo)體市場(chǎng)增速已經(jīng)連續(xù)多年領(lǐng)跑全球產(chǎn)業(yè)，今年的市場(chǎng)也將景氣向上，保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)，繼續(xù)成為全球廠商最關(guān)注的戰(zhàn)略市場(chǎng)。”來自中芯國(guó)際、IBM、臺(tái)灣工研院、加州大學(xué)伯克利分校的專家就各自的研究領(lǐng)域、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展等進(jìn)行了精彩的闡述。
　　新形勢(shì) 新市場(chǎng) 新模式
　　“半導(dǎo)體已經(jīng)從危機(jī)中走出，并且超過危機(jī)以前的市場(chǎng)。中國(guó)作為第一大半導(dǎo)體市場(chǎng)，依然對(duì)半導(dǎo)體的恢復(fù)起到重要作用，這要得益于強(qiáng)勁的內(nèi)需和積極的刺激政策。同時(shí)，市場(chǎng)變得復(fù)雜多變，‘蝴蝶效應(yīng)’更加明顯。”中芯國(guó)際集成電路制造有限公司總裁、執(zhí)行長(zhǎng)兼執(zhí)行董事王寧國(guó)博士說，“我們的機(jī)遇是：中國(guó)市場(chǎng)復(fù)蘇勢(shì)頭明顯高于全球，市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿σ廊缓艽?產(chǎn)業(yè)環(huán)境和投資環(huán)境將繼續(xù)向好;物聯(lián)網(wǎng)、新能源、節(jié)能環(huán)保、智能電網(wǎng)、無線技術(shù)等新興市場(chǎng)加速啟動(dòng);創(chuàng)業(yè)板開啟為國(guó)內(nèi)IC中小企業(yè)提供了難得的融資平臺(tái)，有利于推動(dòng)其發(fā)展。當(dāng)然，挑戰(zhàn)和難點(diǎn)也很明確：全球經(jīng)濟(jì)依然存在不確定性，國(guó)內(nèi)需求有待進(jìn)一步拓展;市場(chǎng)“馬太效應(yīng)”明顯，中小企業(yè)和新進(jìn)入廠商在傳統(tǒng)領(lǐng)域發(fā)展難度較大;新興市場(chǎng)核心技術(shù)壟斷明顯，專利陷阱眾多，不利于中小企業(yè)進(jìn)入。”
　　來自加州大學(xué)伯克利分校的Chenming Calvin Hu博士認(rèn)為，CMOS在未來數(shù)十年之內(nèi)仍將發(fā)揮其作用，并將成長(zhǎng)為更大的市場(chǎng)，新技術(shù)和新的發(fā)展模式必將繼續(xù)涌現(xiàn)。中國(guó)市場(chǎng)廣大，有人才、市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)，但是如何繼續(xù)加大發(fā)展，解決芯片仍然依賴進(jìn)口的問題，需要產(chǎn)業(yè)與政府共同努力。
　　IBM Fellow Tze-chiang (T.C.) Chen博士說：“3D將是半導(dǎo)體的未來之路，但前方的道路仍然漫長(zhǎng)。產(chǎn)業(yè)應(yīng)該建立起一整套系統(tǒng)，將EDA工具、制造、設(shè)計(jì)、測(cè)試等聯(lián)系起來。那么，未來10年里，至少存儲(chǔ)芯片有望借助3D技術(shù)實(shí)現(xiàn)低成本和更高生產(chǎn)率的制造。”
　　中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)與國(guó)際企業(yè)相比仍存在不小的規(guī)模差距。王寧國(guó)博士認(rèn)為，在商業(yè)模式方面，中國(guó)沒有先進(jìn)的IDM企業(yè)，生產(chǎn)規(guī)模上需要加大產(chǎn)能投資力度，要加強(qiáng)設(shè)計(jì)和制造工藝技術(shù)，縮短減少收入差距。
　　新技術(shù)研發(fā)進(jìn)行時(shí)
　　實(shí)現(xiàn)芯片的低功耗是很多創(chuàng)新的出發(fā)點(diǎn)。Chenming Calvin Hu博士的開幕演講主要圍繞此話題進(jìn)行了講述。“單個(gè)芯片的功耗一直在增加，如果功耗問題不能得到很好的解決，那么半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展將會(huì)面臨很大的風(fēng)險(xiǎn)。3D IC、SOI等都是潛在的解決方案。” Chenming Calvin Hu博士說，“通過新型晶體管、結(jié)構(gòu)、電容等技術(shù)來大幅度降低功耗，這是未來的研究方向。”
　　Tze-chiang (T.C.) Chen博士的演講重點(diǎn)集中在了3D IC方面。“3D IC早在30年前就已進(jìn)入人們的視野，隨著TSV技術(shù)的日趨成熟，3D IC極大地幫助了實(shí)現(xiàn)More than Moore，但如何處理超薄晶圓，如何解決散熱問題等，業(yè)內(nèi)人士仍在進(jìn)行不斷的探討。” Tze-chiang (T.C.) Chen博士說。
　　王寧國(guó)博士認(rèn)為，中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)32/28nm等領(lǐng)先技術(shù)的量產(chǎn)，以制造為中心，加大研發(fā)和新技術(shù)的投入，至2015年，基本解決嚴(yán)重“缺芯”的被動(dòng)和落后狀態(tài)。
　　本次研討會(huì)為期兩天，分為開幕主題演講及十個(gè)分會(huì)。演講嘉賓來自產(chǎn)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的公司、科研院所、大專院校，共有741人參與了此次盛會(huì)。與會(huì)者就產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)、新技術(shù)和新知識(shí)進(jìn)行了廣泛的探討和良好的互動(dòng)。