近年來,我國電力電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平不斷提高,應(yīng)用領(lǐng)域日益廣泛,已逐漸成為國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中基礎(chǔ)性的支柱產(chǎn)業(yè)之一。隨著電力電子器件產(chǎn)業(yè)日益受到國家的重視,國家對其生產(chǎn)企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)的扶持力度也在逐步加大。然而,在科研和產(chǎn)業(yè)化不斷取得突破的同時(shí),全行業(yè)仍面臨諸多困難,尤其是關(guān)鍵技術(shù)受制于人,嚴(yán)重影響行業(yè)持續(xù)發(fā)展。
得到政策扶持
電力電子器件產(chǎn)業(yè)直接關(guān)系到變流技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)步,其技術(shù)水平成為建設(shè)節(jié)約型社會(huì)和創(chuàng)新型國家的關(guān)鍵因素。
隨著我國特高壓直流輸電、高壓變頻、交流傳動(dòng)機(jī)車/動(dòng)車組、城市軌道交通等領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展和市場需求的增加,對5英寸及6英寸晶閘管、IGCT(集成門極換流晶閘管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的需求非常緊迫,而且需求量也非常大。預(yù)計(jì)國內(nèi)每年需要5英寸、6英寸晶閘管、IGCT、IGBT的總量將達(dá)到50萬只以上。然而目前國內(nèi)市場所需的高端電力電子器件主要依賴進(jìn)口。
以IGBT為例,全球IGBT主要供應(yīng)商集中在英飛凌、三菱、ABB、富士等少數(shù)幾家公司。目前,我國只有少數(shù)小功率IGBT的封裝線,還不具備研發(fā)、制造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力。因此,在技術(shù)上長期受制于人,這對國民經(jīng)濟(jì)的健康發(fā)展與國家安全極其不利。
為貫徹落實(shí)“十一五”高技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃和信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃,全面落實(shí)科學(xué)發(fā)展觀,推進(jìn)節(jié)能降耗,促進(jìn)電力電子技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,根據(jù)國家發(fā)改委《關(guān)于組織實(shí)施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)有關(guān)問題的通知》,我國將實(shí)施電力電子器件產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)政策,提高新型電力電子器件技術(shù)和工藝水平。
其主要內(nèi)容包括:促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展,滿足市場需求,以技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)推進(jìn)節(jié)能降耗;推動(dòng)產(chǎn)、學(xué)、研、用相結(jié)合,突破核心基礎(chǔ)器件發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù),完善電力電子產(chǎn)業(yè)鏈,促進(jìn)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的芯片和技術(shù)的推廣應(yīng)用;培育骨干企業(yè),增強(qiáng)企業(yè)自主創(chuàng)新能力。
其主要支持的重點(diǎn)領(lǐng)域有:在芯片產(chǎn)業(yè)化方面,主要支持IGBT、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)、快恢復(fù)二極管(FRD)、功率集成電路(PIC)、IGCT等產(chǎn)品的芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝測試和模塊組裝。
在模塊產(chǎn)業(yè)化方面,主要支持電力電子器件系統(tǒng)集成模塊,智能功率模塊(IPM)和用戶專用功率模塊(ASPM)。
在應(yīng)用裝置產(chǎn)業(yè)化方面,重點(diǎn)圍繞電機(jī)節(jié)能、照明節(jié)能、交通、電力、冶金等領(lǐng)域需求,支持應(yīng)用具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)芯片和技術(shù)的電力電子裝置。
仍需突破創(chuàng)新
在產(chǎn)業(yè)政策支持和國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的推動(dòng)作用下,我國電力電子產(chǎn)業(yè)化水平近年來有很大提高。通過技術(shù)上的不斷探索與追求,使其技術(shù)水平逐步與國際水平接近,尤其是在一些高端市場領(lǐng)域已經(jīng)占有一席之地。例如西安電力電子技術(shù)研究所通過引進(jìn)消化技術(shù),產(chǎn)品已經(jīng)在高壓直流輸電等高端領(lǐng)域批量應(yīng)用。
值得關(guān)注的是,雖然我國電力電子技術(shù)水平在不斷提高,但國內(nèi)企業(yè)與國際大公司相比還存在著較大的差距,尚不能滿足國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展對電力電子技術(shù)進(jìn)步的要求,也不能滿足建設(shè)資源節(jié)約型和環(huán)境友好型社會(huì)的迫切需要。據(jù)此分析,我國電力電子行業(yè)追上國際水平仍然任重而道遠(yuǎn)。
目前,在新型電力電子器件的開發(fā)上,需要探索更加積極有效的模式。在國際上,IGBT作為一種主流器件,已經(jīng)發(fā)展到了商業(yè)化的第五代,而我國只有少數(shù)企業(yè)從事中小功率IGBT的封裝,而且尚未形成產(chǎn)業(yè)規(guī)模。我國在IGBT芯片的產(chǎn)業(yè)化以及大功率IGBT的封裝領(lǐng)域,技術(shù)更是一片空白。因此,探索更加積極、有效的模式,促成電力電子器件企業(yè)和微電子器件企業(yè)的技術(shù)融合、取長補(bǔ)短,實(shí)現(xiàn)IGBT的產(chǎn)業(yè)化,才能盡快填補(bǔ)我國基礎(chǔ)工業(yè)中先進(jìn)電力電子器件的空白,改變技術(shù)上受制于人的局面。
同時(shí),在高端傳統(tǒng)型器件的國產(chǎn)化方面,還需要進(jìn)一步加快進(jìn)程。傳統(tǒng)型的電力電子器件主要指晶閘管,其在許多關(guān)鍵領(lǐng)域仍具有不可替代的作用,尤其是隨著變流裝置容量的不斷加大,對高壓大電流的高端傳統(tǒng)型器件等產(chǎn)品的需求巨大,而我國僅有少數(shù)幾家優(yōu)勢企業(yè)通過自主創(chuàng)新掌握了高端器件的制造技術(shù),大部分企業(yè)還停留在中低端器件的制造上。
從行業(yè)總體看,在電力電子器件新工藝的研究方面還需加大研發(fā)力度。一代工藝影響一代產(chǎn)品,電力電子工藝技術(shù)精密復(fù)雜,而國內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)在低溫鍵合、離子注入、類金金剛石膜等新型的關(guān)鍵工藝技術(shù)上還缺乏系統(tǒng)的創(chuàng)新能力,必須加速其研發(fā)進(jìn)程。
與此同時(shí),在產(chǎn)業(yè)化能力建設(shè)方面還需要上新臺(tái)階。大力提升電力電子產(chǎn)業(yè)化能力,將有利于打造現(xiàn)代化和完整的裝備制造業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈,從而使電力電子行業(yè)在建設(shè)創(chuàng)新型、節(jié)能環(huán)保型的和諧社會(huì)中發(fā)揮更大的作用。
電力電子業(yè)突破技術(shù)瓶頸任重道遠(yuǎn)
時(shí)間:2009-05-13
導(dǎo)語:近年來,我國電力電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平不斷提高,應(yīng)用領(lǐng)域日益廣泛,已逐漸成為國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中基礎(chǔ)性的支柱產(chǎn)業(yè)之一。
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