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長江存儲成功用國產設備制造3D NAND芯片

時間：2024-09-24

來源：電子技術應用

導語：9月20日消息，據媒體報道，長江存儲在面臨美國出口限制和被列入實體清單的雙重壓力下，已成功采用國產半導體設備替代部分美系設備。

　　9月20日消息，據媒體報道，長江存儲在面臨美國出口限制和被列入實體清單的雙重壓力下，已成功采用國產半導體設備替代部分美系設備。

　　長江存儲自研Xtacking架構可讓3D NAND的層數堆疊到232層，即使與美光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有極強的競爭優勢。

　　據悉，長江存儲已經使用中微半導體設備公司的蝕刻設備、北方華創的沉積與蝕刻設備，以及拓荊科技的沉積設備，成功制造出3D NAND閃存芯片。

　　TechInsights稱，雖然長江存儲仍繼續依賴ASML和泛林集團等外國供應商提供關鍵工具，但中國國產半導體設備供應商越來越多地承擔了生產流程的大部分。

　　不過長江存儲使用國產設備生產的最新NAND芯片在堆疊層數上做了相應的妥協，比早期產品少了約70層，且產量較低。

　　對此長江存儲在回應中表示，公司正在不斷優化產品性能，層數變化與設備產量無關，隨著制造工藝、流程及經驗的不斷成熟，會不斷增加堆疊層數。


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