6月18日，年產36萬片碳化硅晶圓的長飛先進武漢基地主體結構封頂。該基地是武漢新城誕生的第一個項目，主要聚焦于第三代半導體功率器件研發與生產，致力于打造一個集芯片設計、制造及先進技術研發于一體的現代化半導體制造基地。

　　該項目總投資預計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，建筑面積約30.15萬㎡，主要建設內容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產配套用房設施等。項目投產后可年產36萬片碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應用于新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等領域。

　　公開資料指出，安徽長飛先進半導體有限公司，原名為蕪湖啟迪半導體有限公司，是一家第三代半導體研發生產服務商，專注于碳化硅(SiC)功率半導體產品研發及制造，擁有國內一流的產線設備和先進的配套系統，具備從外延生長、器件設計、晶圓制造到模塊封測的全流程生產能力和技術研發能力。值得一提是，該公司于去年完成超38億元A輪融資。

　　據了解，2023年5月，長飛先進半導體提出“All in SiC-十年黃金賽道”的發展戰略，進軍碳化硅領域。研發方面，同年7月，長飛先進半導體SiC戰略項目(KO)A樣品達到預期設計目標，這標志著該公司擁有車規級SiC MOSFET產品自主研發能力;12月，長飛先進首顆自研產品1200V 20A SiC SBD正式進入試產階段，標志著長飛先進已具備SiC產品自主研發及量產能力。

　　碳化硅是第三代化合物半導體的典型代表產品，憑借高禁帶寬度、高飽和電子遷移速度、高工作溫度及高熱導率等特點，正逐步成為汽車、充電設備、便攜式電源等多個領域的優選方案。尤其是新能源汽車領域，碳化硅已成為800V電壓平臺下功率器件的首要選擇，正逐步替代傳統硅基 IGBT。

　　TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車(BEV)銷量增速的明顯放緩已經開始影響到SiC供應鏈，但作為未來電力電子技術的重要發展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場中仍然呈現加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態勢，預估2028年全球SiC Power Device市場規模有望達到91.7億美金。