2月20日，據日刊工業新聞報道，電子元器件廠商Qualtec將于2027年開始大規模生產超寬帶隙半導體材料二氧化鍺 (GeO2) 晶圓。
據了解，GeO2被認為是下一代功率半導體，并且是使用即將普及的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的下一代化合物半導體的候選者。與SiC相比，GeO2制成的功率半導體在高電壓和高輸出范圍內表現出良好性能的潛力。
目前，該公司正在與主要開發商Patentix合作，以盡快將其推向市場。
Qualtec計劃在2027年之前提供用于設備原型開發的2英寸外延晶圓樣品。與此同時，該公司還將努力把用于大規模生產的襯底直徑增加到4-6英寸。通過利用Patentix的研究成果，讓GeO2晶圓直徑增大的同時，也有望實現缺陷更少且低成本的薄膜沉積。
值得一提的是，2023年12月，Qualtech向立命館大學創業公司Patentix投資5000萬日元(折合人民幣約239萬元)，結成資本與業務聯盟。8月，該公司在草津市開設實驗室，以支持Patentix的研發，并正在考慮GeO2外延片的制造。由GeO2晶圓制成的器件預計將應用于電源、電機和逆變器上。
目前，參與以Patentix為中心的“琵琶湖半導體計劃”的公司數量正在不斷增加，該計劃目標是盡快實現GeO2功率半導體的商業化。Qualtech將加速開發GeO2外延片量產技術并推進其實際應用。
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