日前國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)之一宣布DDR5內(nèi)存取得了重大突破，這對于國產(chǎn)芯片來說無疑是又一個重大突破，將加快國產(chǎn)存儲芯片替代進口芯片。據(jù)悉國產(chǎn)存儲芯片新推出的LPDDR5內(nèi)存顆粒的容量和讀取速度都提升了50%，達到12GB、6400Mbps，功耗也降低了30%;針對服務器等產(chǎn)品的特殊需求，新款LPDDR5內(nèi)存內(nèi)置糾錯碼等技術(shù)，可以實時糾錯，確保數(shù)據(jù)安全，增強穩(wěn)定性。存儲芯片主要有NAND flash存儲芯片和DDR內(nèi)存芯片，這兩種存儲芯片，國內(nèi)都有企業(yè)研發(fā)成功，并達到了世界領先水平，其中NAND flash存儲芯片在去年率先量產(chǎn)了全球最先進的232層技術(shù)。國產(chǎn)存儲芯片在技術(shù)水平方面的快速提升，滿足了手機、PC和服務器對先進存儲芯片的需求，這次的國產(chǎn)LPDDR5內(nèi)存也迅速獲得了幾家國產(chǎn)手機的認可，并已展開測試，預計很快就將搭載于手機上提供給消費者使用。存儲芯片是國產(chǎn)芯片當中取得突破的重要芯片種類之一，并且已達到了全球先進水平，這對于國產(chǎn)芯片來說具有重要意義，尤其是國產(chǎn)存儲芯片成立于2016年，僅僅7年時間就達到了世界先進水平，證明了中國確實有足夠豐富的人才和技術(shù)可以快速縮短乃至趕超全球芯片技術(shù)水平。存儲芯片這幾年同樣受到了芯片設備進口的困擾，不過兩大存儲芯片企業(yè)竭力解決困難，利用現(xiàn)有的芯片設備實現(xiàn)了先進的芯片技術(shù)，這讓外國同行相當驚訝，中國芯片行業(yè)的創(chuàng)新力實在太驚人。隨著中國存儲芯片的發(fā)展，全球存儲芯片行業(yè)都感受到巨大的壓力，因為中國是全球最大的存儲芯片市場，國產(chǎn)存儲芯片大舉替代進口芯片，導致韓國的存儲芯片出口暴跌，美國存儲芯片企業(yè)美光連續(xù)虧損，美光僅是今年上半年年就巨虧42億美元。這幾年中國的芯片行業(yè)已在太多芯片種類上打破了空白，近期有手機企業(yè)就表示推出的5G手機有九成芯片采用了國產(chǎn)芯片，存儲芯片當然也是實現(xiàn)國產(chǎn)芯片替代的種類之一。如今國產(chǎn)芯片替代率已提升到三成以上，隨著國產(chǎn)芯片替代的推進，中國的芯片進口穩(wěn)步減少，今年前三季度中國的芯片進口量同比減少14.6%，芯片進口額減少600多億美，這已導致美國芯片蒙受了巨額的損失，至少四家美國芯片企業(yè)出現(xiàn)虧損。隨著國產(chǎn)芯片取得突破，美國芯片不僅大幅降價，還積極為中國市場定制相應的芯片，他們都擔憂中國芯片取得突破后，將失去中國市場，就連此前態(tài)度強硬的美光也在近期派出高官訪華，希望恢復與中國企業(yè)的合作，繼續(xù)對中國銷售存儲芯片。事實證明了只要中國芯片堅持自主創(chuàng)新，真正實現(xiàn)自主研發(fā)，國產(chǎn)芯片具有替代進口的芯片的能力，海外芯片就會迅速放下身段，降價求售，而不是如此前那樣吊起來賣，還賣得死貴，這樣的事實將促使中國芯片持續(xù)加強自主研發(fā)，打破海外芯片的壟斷。