三菱電機將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導體

時間:2023-11-27

來源:全球半導體觀察

導語:11月,日本三菱電機、安世半導體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導體。雙方將聯(lián)手開發(fā),將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度,同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。

       11月,日本三菱電機、安世半導體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導體。雙方將聯(lián)手開發(fā),將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度,同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。

  目前芯片供應(yīng)量尚未確認,預(yù)計最早將于2023年內(nèi)開始供應(yīng)。

  公開消息顯示,安世半導體總部位于荷蘭,目前是中國聞泰科技的子公司。11月初,安世半導體被迫轉(zhuǎn)手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。

  盡管同屬功率半導體公司,三菱電機與安世半導體的側(cè)重點不同,前者以“多個離散元件組合起來”的功率半導體為中心,提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠,在業(yè)界享有盛譽;而安世半導體在元器件開發(fā)、生產(chǎn)和認證方面擁有數(shù)十年的豐富經(jīng)驗,現(xiàn)在同時提供高質(zhì)量的寬禁帶器件。

  安世半導體雙極性分立器件業(yè)務(wù)部資深副總裁兼總經(jīng)理Mark Roeloffzen表示:“與三菱電機建立共贏的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,標志著Nexperia在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域取得了重大進展。與Nexperia的分立產(chǎn)品和封裝技術(shù)的高質(zhì)量標準和專業(yè)知識相輔相成,必將在兩家公司之間產(chǎn)生積極的協(xié)同效應(yīng),最終幫助客戶在其服務(wù)的工業(yè)、汽車以及消費市場提供高能效產(chǎn)品。”

  三菱電機半導體與器件部執(zhí)行官兼集團總裁Masayoshi Takemi博士表示:“Nexperia是業(yè)界領(lǐng)軍企業(yè),在高品質(zhì)分立半導體領(lǐng)域擁有成熟的技術(shù)。我們很高興與其達成聯(lián)手開發(fā)合作協(xié)議,從而充分利用兩家公司的半導體技術(shù)。”

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