當地時間5月18日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已開始量產，可以滿足了運算市場對大規模數據處理的需求。
與上一代產品相較，三星新的12納米等級DDR5 DRAM的速率達到了7.2Gbps，功耗降低了23%，同時將晶圓的生產效率提高了20%。
此外，出色的電源效率也使其成為那些希望減少服務器和數據中心的能耗及碳足跡的全球IT公司的理想解決方案，以支持包括數據中心、人工智能和下一代運算解決方案在內越來越多的應用。
三星12納米級工藝技術的開發基于一種新型高κ材料，有助于提高電池電容。高電容使數據信號出現明顯的電位差，從而更易于準確地區分。同時，三星在降低工作電壓和噪聲方面的成果，也讓此解決方案更加適用于客戶公司的需求。
據悉，2022年12月，三星成功開發出基于12nm級制程工藝的16Gb DDR5 DRAM，并與今年5月與AMD完成了兼容性測試。三星表示，這款產品是業界最先進的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。
資料顯示，DDR5 DRAM是聯合電子設備工程委員會(JEDEC)于2020年推出的最新DRAM規范，其性能比DDR4 DRAM高了一倍。
當前，盡管DDR4占據DRAM領域大部分市場份額，但DDR5作為存儲領域的新產品，正逐漸成為各大廠商競逐的焦點。業界認為，近兩年將會是DDR5高速發展期，尤其是從今年開始，DDR5滲透率將大幅提升。
TrendForce集邦咨詢分析師吳雅婷表示，隨著時間的推移，預計自2023年起，服務器端將逐步導入DDR5，在server新平臺的帶動下，將會拉高DDR5比重。而隨著DDR5的快速普及，未來將有望取代DDR4。集邦咨詢認為，DDR5與DDR4成為主流應用的交會點應該在2024年底前或2025年初。
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