臺積電看好3納米制程世代將會是另一個大規模且有長期需求的制程技術。臺積電日前法人說明會指出，盡管庫存調整仍在持續，但已觀察到3納米N3制程和N3E制程皆有許多客戶參與，量產第一年和第二年產品設計定案數量將是5納米N5制程2倍以上。

　　臺積電3納米制程技術無論在PPA(效能、功耗及面積)及電晶體技術上，都已是全球半導體業界最先進的技術。因此，臺積電預期客戶在2023年、2024年、2025年及以后，對3納米制程技術皆有強勁需求。而臺積電已全力拉升3納米產能，下半年將可帶來明顯營收挹注。

　　臺積電3納米生產重鎮以南科Fab 18廠區為主體，已完成Fab 18廠區第五期至第八期共四座3納米晶圓廠，未來將視市場需求決定是否興建第九期的3納米晶圓廠。而臺積電已宣布將會在美國亞利桑那州Fab 21廠區興建第二期3納米晶圓廠，預估2025年之后可以進入量產。

　　至于臺積電正在準備的2納米晶圓廠，預計會落腳在新竹與臺中科學園區，共計有六期工程，已按計劃持續進展中。根據臺積電公布資料，臺積電在竹科寶山二期興建的2納米超大型晶圓廠Fab 20，將會興建第一期到第四期共4座晶圓廠，臺積電正在爭取中科臺中園區擴建二期開發計劃的建廠用地，在取得用地后會再興建2座2納米晶圓廠。

　　由此來看，臺積電未來五年當中，在臺灣的3納米及2納米晶圓廠合計將逾十座，以先進制程月產能3萬片晶圓廠投資金額約200億美元來看，總投資金額將超過2,000億美元，并且帶動包括材料、設備等臺積電大聯盟生態圈龐大商機。

　　三星豪賭半導體，20年投資2300億美金

　　韓國科技巨頭三星電子預計將在未來 20 年內投資 2300 億美元開發該國政府所稱的全球最大的芯片制造基地，以配合推動經濟發展的努力民族芯片產業。

　　三星約 300 萬億韓元的項目是政府周三公布的 550 萬億韓元私營部門投資計劃的一部分。首爾的戰略旨在擴大稅收減免和支持，以提高包括芯片、顯示器和電池在內的高科技行業的競爭力。

　　該計劃出臺之際，其他國家也采取措施支持國內芯片產業，其中包括美國，該國上個月發布了其CHIPS 法案的詳細信息，為在該國投資的芯片制造商提供數十億美元的補貼。

　　“最近從芯片開始的經濟戰場已經擴大......各國正在提供大規模補貼和稅收支持，”總統 Yoon Suk Yeol 周三表示。

　　“(我們)必須支持私人投資以確保進一步增長……政府必須提供選址、研發、人力和稅收支持。”

　　三星工業部在一份聲明中表示，三星新增的制造業將包括五家芯片工廠，并在首爾附近吸引多達 150 家材料、零件和設備制造商、無晶圓廠芯片制造商和半導體研發機構。

　　除了民間投資外，政府還將在五年內預算 25 萬億韓元或更多用于人工智能等戰略技術的研發。今年將提供約3600億韓元用于開發芯片封裝，并為工業園區提供約1000億韓元的水電基礎設施。

　　1 月，政府提議將大型企業對芯片和其他戰略技術的設施投資的稅收減免率從 8% 提高到 15%。

　　另外，三星電子、三星顯示器、附屬公司三星 SDI和三星電機表示，他們計劃在未來 10 年內在首爾市區以外的地區投資 60.1 萬億韓元開發芯片包裝、顯示器和電池技術。

　　韓國是世界上最大的兩家存儲芯片制造商三星電子和 SK 海力士公司的所在地，韓國正在尋求提高供應鏈穩定性，以成為目前由芯片制造商主導的非存儲芯片領域的主要參與者例如臺積電和英特爾公司。