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復旦大學寧波研究院重大產業化項目，清純半導體研發基地啟用

時間：2023-02-06

來源：全球半導體觀察

導語：清純半導體消息顯示，清純半導體研發基地總面積4600平米，建設四大實驗平臺：一樓建設器件性能測試平臺、晶圓測試及老化平臺;三樓建設可靠性及應用平臺;四樓建設器件測試及老化平臺。

       2月3日，復旦大學寧波研究院重大產業化項目——清純半導體研發基地舉行啟用儀式。

　　清純半導體消息顯示，清純半導體研發基地總面積4600平米，建設四大實驗平臺：一樓建設器件性能測試平臺、晶圓測試及老化平臺;三樓建設可靠性及應用平臺;四樓建設器件測試及老化平臺。實驗室總規劃面積超2500平米，配備了國際領先的功率器件參數測試及可靠性設備，平臺總投入近億元，具備支撐月產近千萬顆碳化硅器件的測試及篩選能力。

　　清純半導體成立于2021年3月，是一家碳化硅功率器件設計和供應商。寧波前灣新區消息顯示，清純半導體已正式量產首款國產15V驅動SiC MOSFET，推出國內最低導通電阻的1200V/14mΩ SiC MOSFET，同時獲得AEC-Q101車規認證并通過HV-H3TRB加嚴可靠性考核。

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