復旦大學寧波研究院重大產(chǎn)業(yè)化項目,清純半導體研發(fā)基地啟用
導語:清純半導體消息顯示,清純半導體研發(fā)基地總面積4600平米,建設四大實驗平臺:一樓建設器件性能測試平臺、晶圓測試及老化平臺;三樓建設可靠性及應用平臺;四樓建設器件測試及老化平臺。
2月3日,復旦大學寧波研究院重大產(chǎn)業(yè)化項目——清純半導體研發(fā)基地舉行啟用儀式。
清純半導體消息顯示,清純半導體研發(fā)基地總面積4600平米,建設四大實驗平臺:一樓建設器件性能測試平臺、晶圓測試及老化平臺;三樓建設可靠性及應用平臺;四樓建設器件測試及老化平臺。實驗室總規(guī)劃面積超2500平米,配備了國際領先的功率器件參數(shù)測試及可靠性設備,平臺總投入近億元,具備支撐月產(chǎn)近千萬顆碳化硅器件的測試及篩選能力。
清純半導體成立于2021年3月,是一家碳化硅功率器件設計和供應商。寧波前灣新區(qū)消息顯示,清純半導體已正式量產(chǎn)首款國產(chǎn)15V驅動SiC
MOSFET,推出國內最低導通電阻的1200V/14mΩ SiC MOSFET,同時獲得AEC-Q101車規(guī)認證并通過HV-H3TRB加嚴可靠性考核。
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