首先是在射頻芯片方面，中國已有多家芯片企業如富滿電子等研發5G射頻芯片并已進入量產階段，5G射頻芯片是國產5G手機的關鍵芯片之一，此前該類芯片主要由美國和日本所壟斷，正是因為這種原因導致華為推出的P50 Pro在采用了集成5G基帶的麒麟9000后卻無法支持5G。

　　在電源芯片方面，華為早已實現電源芯片自主研發，在它的手機上采用了自主研發的電源芯片;去年以來國產手機四強中的小米、OPPO、vivo等也已研發出ISP芯片，以自研ISP芯片取代外國芯片，增強了拍照能力;小米、OPPO還在快充芯片方面取得了突破。

　　在手機芯片方面，華為由于眾所周知的原因無法生產之后，國產手機芯片另一代表企業紫光展銳在快速崛起，早前counterpoint公布的數據顯示紫光展銳在2021年的出貨量取得數倍增長，已取得一成多市場份額，由此超越三星位居全球手機芯片市場第四名。

　　近期在傳出Intel、三星、臺積電等聯合成立“小芯片聯盟”，將推出一種chiplet芯片互聯標準Ucle;這方面其實中國早已有準備，已制定chiplet標準草案，預計年底前推出，此舉對于中國芯片行業更是具有積極意義。

　　chiplet標準其實早在數年前就已開始討論，主要是考慮到芯片制造工藝的研發難度越來越高，如今的芯片制造工藝即將量產3納米，即將達到極限，而且越先進的工藝成本就越高，因此芯片行業探討在芯片封裝技術方面進行創新，以成熟工藝提升性能，chiplet標準正是由此而來。

　　此前chiplet標準僅僅是探討，但是今年蘋果推出的M1 ultra和臺積電與英國芯片企業合作采用3D WOW技術將chiplet標準變成現實。蘋果的M1 ultra是將兩顆M1芯片已特殊的方式連接在一起，性能得到大幅提升，擊敗了Intel的12代i9處理器;臺積電為英國一家AI芯片公司Graphcore以7納米生產的一款IPU產品Bow，以3D WOW封裝技術封裝卻提升了40%的性能，性能提升幅度比5納米工藝還要高。

　　中國推出chiplet標準可以利用現有的成熟工藝大幅提升芯片性能，其實這種方式在去年曾被華為提出，當時傳華為的雙芯堆疊技術可以國內投產的14納米工藝生產芯片進行堆疊后將性能提升到接近7納米，如此就突破了當下受限于EUV光刻機而無法投產7納米及更先進工藝的問題。

　　如今蘋果和臺積電的做法都驗證了芯片堆疊技術，并且Intel、三星、臺積電等將成立“小芯片聯盟”進一步推動芯片封裝技術，無疑證明了芯片堆疊技術的可行性，這將有利于中國的芯片企業利用現有的芯片工藝生產出性能更先進的芯片，打破芯片制造工藝受限的問題。

　　可以說這兩年發生的事情，促使中國芯片行業想方設法積極利用現有的技術打破外國芯片的技術壟斷，充分發揮了國內芯片的積極性，可以預期未來中國芯片行業將在更多芯片行業突破，取得更大的進步。