占據(jù)90%光刻機市場!狂奔中的ASML,依然看不到任何對手

時間:2021-10-26

來源:中國傳動網(wǎng)

導語:作為全球最大的半導體光刻系統(tǒng)供應商,ASML同時也是全球唯一的極紫外光刻 (EUV) 機供應商。EUV光刻系統(tǒng)也被認為是目前最先進的芯片制造工具之一,可以讓芯片制造商在7nm及以下先進制程芯片制造中占據(jù)優(yōu)勢,并使得摩爾定律能夠得以延續(xù)。

  ASML的壟斷地位

  ASML是全球領先的半導體光刻系統(tǒng)供應商,每家主要半導體制造公司都有使用ASML的光刻機制造芯片。準確地說,ASML在半導體光刻市場擁有超過90%的市場份額,其余玩家為佳能和尼康。同時,ASML也是單價過億美元的EUV光刻機市場的壟斷者。

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  根據(jù)財報顯示,ASML 2021年三季度銷售額52.41億歐元,同比增長32.4%;凈利潤為17.40億歐元,同比增長63.8%。三季度新增訂單金額61.79億歐元,而在這61.79億歐元的新增訂單中,EUV光刻機的訂單金額占據(jù)了近一半,達到了29億歐元。

  ASML也表示,三季度,EUV光刻機系統(tǒng)的出貨量和收入創(chuàng)下歷史新高。目前,ASML主力EUV光刻機是TWINSCAN NXE:3600D,其在客戶那里也達到了每小時加工160片晶圓的創(chuàng)紀錄效率。另外,在DUV(深紫外)光刻機方面,ASML已經(jīng)累計完成出貨1000臺ArF系統(tǒng)(氟化氬浸沒式光刻系統(tǒng))。

  展望未來,ASML預計2021年有望實現(xiàn)約35%的增長,第四季度凈銷售額在49-52億歐元區(qū)間,毛利率為51%-52%;研發(fā)成本約為6.7億歐元,銷售和管理成本約為1.95億歐元。

  相比之下,ASML在光刻領域的競爭對手,佳能和尼康的光刻機業(yè)務規(guī)模與ASML相去甚遠。

  資料顯示,2020年全球光刻機總銷售量為413臺。其中ASML銷售258臺占比62%,佳能銷售122臺占比30%,尼康銷售33臺占比8%。按照銷售額來計算的話ASML的份額高達91%,佳能只有3%、尼康也僅有6%。

  先進制程投資快速增長,EUV系統(tǒng)采用率持續(xù)上升

  當前,隨著PC和智能手機產品的持續(xù)升級迭代,以及人工智能、5G通信、自動駕駛、云服務等需求的快速增長,全球對于先進制程芯片的需求正快速成長。臺積電、三星、英特爾等頭部的先進制程芯片制造商之間的競爭也在加劇。

  此前全球最大的晶圓代工廠臺積電已投資120億美元開始在美國建設新的5nm晶圓廠。今年的資本支出也提高到了280億美元,并宣布在未來三年的資本支出將達到創(chuàng)紀錄的1000億美元。臺積電表示,這種資本支出并非針對當前芯片短缺,而是一項長期投資,旨在利用未來幾年對先進芯片的預期需求增長。

  作為全球第二大半導體廠商,三星今年對于存儲與晶圓代工等相關事業(yè)的資本支出也將達到近300億美元。另外,三星還宣布將投資170億美元在美國德克薩斯州新建一座新的先進制程晶圓廠。未來三年,三星計劃對其旗下三星電子公司和其他附屬企業(yè)投資高達240兆韓圓(相當于2050億美元),借以鞏固未來的成長引擎,并擴大后疫情時代的科技領先地位。

  處理器大廠英特爾今年開始也大幅加大了對于半導體制造的投資。在今年3月,英特爾新任CEO基辛格上臺之后,就推出了IDM 2.0計劃,不僅加速自身更先進的半導體工藝制程的推進,同時還重啟了晶圓代工業(yè)務,并宣布投資200億美元在美國新建兩座晶圓廠。今年9月,英特爾還宣布未來10年將在歐洲投資800億歐元,建至少兩座先進晶圓廠。

  隨著臺積電、三星、英特爾等頭部晶圓制造廠商對于先進制程工藝的追逐,對于EUV光刻機的需求更是快速上升。

  例如,臺積電今年已承諾資本支出 280 億美元,其中約 80% 將用于公司最先進的芯片制造工藝——7nm、5nm 和 3nm。而臺積電第二代7nm及后續(xù)的5nm先進制程都是基于EUV工藝的。

  作為全球第一家使用ASML EUV光刻機進行大批量生產的公司,臺積電聲稱其擁有全球50%以上的EUV光刻系統(tǒng)安裝量和60%的累計EUV晶圓生產量。

  臺積電計劃繼續(xù)保持在EUV光刻機數(shù)量上的領先地位.jpg

  Source: Anandtech

  臺積電計劃繼續(xù)保持在EUV光刻機數(shù)量上的領先地位,其已下訂單訂購的“至少”13臺EUV光刻機將會在今年交付。隨著其積極的資本支出計劃,臺積電似乎將繼續(xù)保持EUV產能領先地位,而其他芯片制造商也正努力迎頭趕上。

  其中一個奮力追趕的是三星,該公司目前在EUV光刻機安裝量方面落后于臺積電。據(jù)業(yè)內官員稱,三星之擁有臺積電一半的數(shù)量。

  目前三星正使用EUV光刻機來制造一些DRAM和7nm/5nm邏輯芯片。憑借其在代工廠上的 EUV 經(jīng)驗,三星已于2020 年 8 月率先在 1z 節(jié)點上采用 EUV 進行DRAM生產。隨著三星在邏輯制程和DRAM制造中擴大EUV光刻機的使用,EUV光刻機的購買量在未來幾年將會持續(xù)增加。

  英特爾也正在部署EUV系統(tǒng)用于其7nm節(jié)點生產芯片,預計將在未來幾年內進一步增加ASML的EUV光刻機訂單。

  與此同時,DRAM巨頭SK Hynix和美光也計劃在量產中使用EUV光刻機。SK 海力士于今年7月開始量產基于 1a 節(jié)點的 8 Gb LPDDR4 移動 DRAM。今年7 月,由于 EUV 設施投資預付款,美光將其2021財年的資本支出指導從 90 億美元上調至 95 億美元。

  未來幾年,隨著對高端芯片(例如 5G智能手機芯片、高性能計算芯片、先進DRAM)的需求增加,EUV光刻機的滲透率將不斷提高,ASML將成為半導體升級周期的主要受益者。

  根據(jù)日本瑞穗銀行(Mizuho)的預測2022年和2023 年,主要邏輯廠商資本支出的 EUV 部分將分別上升至13% 和15%。

  然而,目前ASML 每年的生產能力僅為50多個EUV光刻系統(tǒng),其EUV光刻機一直處于供不應求當中。據(jù)了解,僅去年一年,三星就訂購了20臺ASML EUV光刻機,以實現(xiàn)其2022上半年量產3nm芯片的計劃。此前三星副會長李在镕還親自飛往 ASML 總部敦促其加快EUV光刻機的交付。這也凸顯了AMSL在EUV光刻領域的壟斷地位。

  2nm爭奪戰(zhàn)的關鍵:ASML新一代EUV光刻機

  由于EUV光刻系統(tǒng)中使用的極紫外光波長(13nm)相比DUV 浸入式光刻系統(tǒng)(193 nm)有著顯著降低,多圖案 DUV 步驟可以用單次曝光 EUV 步驟代替。可以幫助芯片制造商繼續(xù)向7nm及以下更先進制程工藝推進的同時,進一步提升效率和降低曝光成本。

  自2017年ASML的第一臺量產的EUV光刻機正式推出以來,三星的7nm/5nm工藝,臺積電的第二代7nm工藝和5nm工藝的量產,乃至未來的3nm工藝都是由ASML的NXE:3XXX系列EUV光刻機提供的助力。

  目前,臺積電、三星、英特爾等頭部的晶圓制造廠商也正在大力投資更先進的3nm、2nm技術,以滿足高性能計算和5G通信的先進芯片需求。而2nm工藝的實現(xiàn)則需要依賴于ASML新一代的EXE:5000系列EUV光刻機。

  相比第一代的EUV光刻機(NXE:3XXX系列)來說,新一代的EUV光刻機的物鏡的NA(數(shù)值孔徑)將從0.33提升到0.55,使得芯片制造商能夠生產2nm及以下更先進制程的芯片,并且圖形曝光更低的成本、生產效率更高。

  據(jù)了解,新一代的EUV光刻機大約有一輛公共汽車那么大,整個機器包含10萬個部件和2公里長的電纜。每臺機器發(fā)貨需要40個集裝箱、3架貨機或者20輛卡車。造價相比第一代的EUV光刻機也更高,據(jù)說達到了3億美元。

  ASML新一代EUV光刻機的原型機,將在2022年進行測試,預計將會在2023年投入運行。

  三星在10月初初已宣布,將在2022年上半年量產3nm工藝,并計劃在2025年搶先臺積電量產2nm。不過,臺積電在近日的法說會上回應稱,2025年臺積電2nm制程不論是密度或是效能,都將是最領先的技術。

  值得注意的是,今年7月底的“英特爾加速創(chuàng)新:制程工藝和封裝技術線上發(fā)布會”上,英特爾已宣布將在2024年量產20A工藝(相當于臺積電2nm工藝),并透露其有望率先獲得業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機(即ASML新一代EUV光刻機),同時也將是業(yè)界首家將ASML新一代High-NA EUV光刻機應用到量產環(huán)節(jié)的廠商。

  顯然,搶先獲得ASML新一代EUV光刻機,也正是英特爾篤定其制程工藝能夠超越臺積電、三星重回領先地位的關鍵。

  成熟制程產能持續(xù)增長,DUV光刻系統(tǒng)需求旺盛

  多年來,半導體行業(yè)一直處于蓬勃發(fā)展當中,過去兩年芯片制造商一直在提高產能利用率。特別是自去年下半年全球晶圓產能出現(xiàn)緊缺以來,各大晶圓制造廠商的產能利用一直在持續(xù)提升。

  

過去兩年芯片制造商.jpg

  臺積電在給客戶的一封信中說,該公司的晶圓廠產能利用率已經(jīng)超過了100%,但是市場需求仍超過供應。雖然芯片制造商都已通過提高容量利用率和軟件升級,以提高短期產量,但從長遠來看,全球晶圓廠將不得不擴建或建造新的晶圓廠來增加產能,以滿足芯片的需求增長,單靠提高利用率已無法滿足。

  而在此輪的晶圓制造產能緊缺當中,尤其以28nm及以上的成熟制程產能最為緊缺。包括大量的基于成熟制程的車用芯片、MCU、功率器件(MOSFET、IGBT等)、電源管理芯片、傳感器、顯示驅動芯片、CIS、WiFi和藍牙芯片等。這其中來自于電動汽車市場對于各類車用芯片的需求占據(jù)了相當大的一部分。

  Gartner 估計,每輛車的平均半導體含量將從 2020 年的 489 美元上升到 2025 年的 719 美元,汽車半導體收入需求將在 2020-2025 年間以 14% 的復合年增長率從 387 億美元增長到 755 億美元,超過其他關鍵需求領域的增長。整個半導體市場,例如智能手機 (7% CAGR)、消費電子 (7% CAGR)、PC (0% CAGR) 和整個半導體行業(yè) (7% CAGR)。

  

平均半導體含量1.jpg平均半導體含量2.jpg平均半導體含量3.jpg

  根據(jù)Gartner的預測,在370億美元的增量需求中,成熟工藝制程節(jié)點將占汽車半成品需求增量的67%,即250億美元。

  在今年年初,為解決車用芯片緊缺問題,歐美政府甚至還要求臺積電優(yōu)先為汽車廠商生產車用芯片。根據(jù)臺積電的數(shù)據(jù),其今年車用MCU的產出相比去年將提升60%。

  此外,為應對市場對于成熟制程旺盛的需求,今年4月,臺積電宣布將投入28.87億美元資本支出擴充成熟制程,預計將在南京廠建置月產4萬片的28nm成熟制程產能。

  近日臺積電還宣布將在日本建一座新的22/28nm成熟制程晶圓廠,總投資或達454億元人民幣,其中日本政府可能將提供一半的補貼。臺積電還表示,該晶圓廠的投資并不包含在未來三年1000億美元的資本支出當中。

  今年3月初時,成熟制程工藝晶圓代工大廠格芯宣布,今年將投資14億美元,對美國、新加坡和德國的三座晶圓廠工廠進行擴產。而這14億美元的投資,有1/3的資金是來自于客戶。6月,格芯又宣布進一步將對產能擴建的投資增加到60億美元,其中40億美元將用于在新加坡新建新的晶圓廠,該工廠計劃于2023年開工。剩下的20億美元,將分別投入到德國和美國工廠的擴產當中。隨后砸7月,格芯正式宣布,將在美國紐約州馬耳他的園區(qū)內新建一座工廠,同時將投資10億美元擴大已有的Fab 8晶圓廠的產能。擴產完成后,將新增15萬片晶圓的年產能。

  今年5月,成熟制程工藝晶圓代工大廠聯(lián)電也宣布投資1000元億新臺幣(36億美元),擴充在臺南科學園區(qū)的 12吋廠Fab 12A P6廠區(qū)的28nm產能,預計每個月將增加2.7萬片。

  根據(jù)SEMI預計,2021年和2022年將有29座晶圓廠動工,其中15座為晶圓代工廠,月產能達3萬至22萬片約當8吋晶圓;4座為存儲晶圓廠,每月可制造10萬至40萬片約當8吋晶圓。這些新建晶圓廠當中,成熟制程占據(jù)了大部分的份額。

  而成熟制程芯片的制造則主要依賴于DUV光刻機,在持續(xù)的芯片短缺下,DUV光刻機需求激增。作為占據(jù)全球90%市場份額的光刻機廠商,ASML自然也將成為這輪成熟制程擴產潮當中的最大受益者之一。

  小結:

  目前ASML正處于一個“甜蜜點”,領先的邏輯半導體及DRAM制造商,正在由DUV向EUV工藝過渡。在完成這一過渡之前,EUV光刻機的需求將作為前端半設備支出的重要組成部分長期增長。同時,成熟制程產能的大幅擴建,也將繼續(xù)帶動對于ASML DUV光刻機需求的增長。

  另外,ASML如今能夠擁有在EUV光刻領域的壟斷地位,除了花費了數(shù)十年和上百億美元的研發(fā),還得益于臺積電、三星、英特爾等頭部的晶圓廠多年來的持續(xù)大力支持。而在可預見的未來,恐怕沒有競爭對手能夠威脅ASML 近乎壟斷的地位。隨著芯片變得越來越先進,芯片制造市場的份額,將越來越集中在少數(shù)能夠持續(xù)維持高昂的資本支出以在快速發(fā)展的半導體技術中保持競爭力的企業(yè)手中。

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